Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Digitális elektronika
Schönherz Elektronikai Műhely
Logikai alapkapcsolások
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Digitális rendszerek II.
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Elektromos mennyiségek mérése
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Analóg alapkapcsolások
TH SM ALKATRÉSZEK.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Az elektronika passzív alkatrészei
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Digitális rendszerek I. c
Aktív és passzív áramköri elemek
Csillagfény-modulációt szemléltető eszköz
Elektronikai alkatrészek
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
Kérdések-válaszok a TRANZISZTOROK témaköréből
A digitális áramkörök alapelemei
Félvezető áramköri elemek
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Mikroelektronikai tervezés VLSI labor. NyÁKBOÁK vagy PCBASIC.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Rendszerek stabilitása
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
PC javítás, hibakeresés
Teljesítményelektronika
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája III. Előadás Stacionárius és kvázistatcionárius áramkörök Törzsanyag.
Segédlet a tápegységek témakörhöz
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Szalisznyó László és segéde Takács Viktor. Feltalálója  Jack Kilby  Fizikus  Jack St. Clair Kilby amerikai fizikus volt, ő találta fel és hozta létre.
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Nagyteljesítményű LED
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Elektronikai technológia
Félvezető áramköri elemek
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

Elektronikus eszközök BME EET 1.0

Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény kisebb, vagy egyenlő az adott frekvenciatartományban felvett „jel” teljesítménnyel (ellenállás, kondenzátor, induktivitás mindig (?)) aktív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény nagyobb a felvett „jel” teljesítménynél (elektronikus erősítő elemek és tápláló energiaforrás) (alkatrészek: egyszerű alkatelemek, 2-4 kivezetéssel elektronikus eszközök : ugyanezek + ugyanezek áramkörré integrálva)

Elektronikus eszközök, és alkatrészek Passzívak (nagyon különböző megjelenési formák és gyártási technológiák): ellenállás (fémréteg, szénréteg, vastagréteg, vékonyréteg, monolit IC alkatrész) kondenzátor (kerámia, elektrolit, trimmer, forgó-, polimer szigetelésű, tekercselt, fémezett papír, csillám) induktivitás (fojtótekercs, transzformátor, relé) Karakterisztikák: U-I lineáris-nemlineáris, Ohm törvény, szuperpozíció.

Elektronikus eszközök, és alkatrészek Aktívak (még inkább) különböző megjelenési formák és gyártási technológiák: dióda (egyenirányító pn átmenet, Schottky átmenet, heteroátmenet, Gunn dióda) bipoláris tranzisztorok (npn, pnp) tirisztor (n + pnp + ) térvezérelt tranzisztorok – n csatornás JFET, p csatornás JFET (kiürítéses típusú, pn átmenetes vagy Schottky gátas eszközök) – n csatornás MOSFET, p csatornás MOSFET (kiürítéses típusúak) – n csatornás MOSFET, p csatornás MOSFET (növekményes-inverziós típusúak) Karakterisztikák: U-I lineáris-nemlineáris, Ohm törvény, szuperpozíció.

Elektronikus eszközök, és alkatrészek Az előbbiekből felépülő integrált áramkörök bipoláris (főleg analóg áramkörök, műveleti erősítők) MOS (CMOS, főleg digitális áramkörök, mikroprocesszorok) BiCMOS