A bipoláris tranzisztor III.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Műveleti erősítők.
Advertisements

1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Erősítő számítása-komplex feladat
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Számpélda a földelt kollektoros erősítőre Adatok: Rg=0.5k; RB=47k;
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Tranzisztoros erősítő kapcsolások vizsgálata
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Mérés és adatgyűjtés Virtuális méréstechnika Mingesz Róbert 12. Óra Karakterisztikák mérése November 21., 23.
Elektrotechnika 1. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Erősítők.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
Elektronika Alapismeretek II. rész.
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Fázishasító kapcsolás Feszültségerősítések Au1 Au2 Egyforma nagyság
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
A grafikus megjelenítés elvei
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Aktív villamos hálózatok
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Elektronikák megbízhatósága
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Elektronika 9. gyakorlat.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Nagyteljesítményű LED
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Járművillamosság és elektronika II.
Előadás másolata:

A bipoláris tranzisztor III. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Másodlagos hatások: Parazita CB dióda Soros ellenállások Early hatás Áramkiszorítás Az áramerősítés munkapontfüggése

A valóságos tranzisztor karakterisztikái A parazita CB dióda hatása Az inverz áramerősítés leromlik

A valóságos tranzisztor karakterisztikái A soros ellenállások hatása - a báziskivezetés A “belső bázispont” mint ésszerű közelítés

A valóságos tranzisztor karakterisztikái A soros ellenállások hatása: a kollektor-kivezetés

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Az Early hatás

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Az Early hatás

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Az Early feszültség

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Early hatás a földelt bázisú tranzisztornál

A valóságos tranzisztor karakterisztikái Early hatás: a visszahatás mechanizmusa ~exp(UBE/UT) FB FE

Az Early hatás PÉLDA Mekkora a földelt emitteres kimeneti ellenállása a tranzisztornak, ha az Early feszültség 80 V és a munkaponti kollektoráram 5 mA?

Az áramkiszorítás UBE Imax/Imin 1 mV 1,04 10 mV 1,47 50 mV 6,84 Segítség: több báziskivezetés nagy kerületű E

Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt

Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt Áramfüggés:

A BJT kisjelű helyettesítőképei A kisjelű működés jellege: a munkaponti beállításhoz képest kis megváltozások Ut A munkaponti beállítás: Ib~0 Feltételek: Ib~0, és Az előbbiek alapján:

A BJT kisjelű helyettesítőképei A kisjelű működés jellege Feszültséggenerátor, nagy kapacitás: rövidzár áramgenerátor: szakadás

A BJT kisjelű helyettesítőképei A helyettesítőképek fajtái 1. Fizikai “kételemes” “háromelemes” “ötelemes” 2. “Fekete doboz” (négypólus) h paraméteres y paraméteres s paraméteres Mindegyikben: FB, FE

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes IE arányosan vezérli IC-t véges bemeneti ellenállás FB

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes, FB

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes, FE FE

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes FB FE

Kisjelű fizikai helyettesítőképek PÉLDA Egy tranzisztor kisjelű áramerősítési tényezője az IE = 1 mA munkapontban  = 200. Határozzuk meg a kételemes közös bázisú és közös emitteres helyettesítőkép elemértékeit! FB FE

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Háromelemes FB FE

Kisjelű fizikai helyettesítőképek Ötelemes Early Giacoletto FB FE

Határozzuk meg az alábbi kapcsolás erősítését és bemeneti ellenállását! Adatok:  = 200, Ut = 12 V, UB=6 V, IE = 1 mA, a bázisosztó árama 0,1 mA, UC=9 V. PÉLDA

A kapacitások figyelembevétele T0 a bázis-áthaladási idő

A kapacitások figyelembevétele