MIKROELEKTRONIKA Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Az optikai sugárzás érzékelése
Advertisements

A MÉRŐESZKÖZÖK CSOPORTOSÍTÁSA
Az optikai sugárzás érzékelése  Belső fényelektromos hatás  Záróréteges fényelektromos hatás  Külső fényelektromos hatás  Termo-elektromos hatás.
7.Fény- és sugárforrások valamint azok vezérlése Izzólámpák –Halogén izzók Kisnyomású gázkisülő lámpák –Kompakt fénycsövek –kisnyom. Na-lámpa Nagynyomású.
SO 2, NO x felbontási hatásfokának vizsgálata korona kisülésben Horváth Miklós – Kiss Endre.
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Fajlagos ellenállás definíciójához
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Az elektron szabad úthossza
Napenergia-hasznosítás
Színképek csoportosítása (ismétlés)
Molekulák forgási színképei
Spektroszkópiáról általában és a statisztikus termodinamika alapjai
Mérés és adatgyűjtés Virtuális méréstechnika
Mérés és adatgyűjtés Virtuális méréstechnika Mingesz Róbert 12. Óra Karakterisztikák mérése November 21., 23.
MIKROELEKTRONIKA 2. - Elektromos vezetés, , hordozók koncentrációja, mozgékonyság, forró elektronok, Gunn effektus, eszközök Adalékolás (növesztésnél,
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Sugárzás-anyag kölcsönhatások
Ezt a frekvenciát elektron plazmafrekvenciának nevezzük.
1 A napszélben áramló pozitív töltésű részecskék energia spektruma.
Elektromágneses színkép
Ez a dokumentum az Európai Unió pénzügyi támogatásával valósult meg. A dokumentum tartalmáért teljes mértékben Szegedi Tudományegyetem vállalja a felelősséget,
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
Lézerspektroszkópia Előadók: Kubinyi Miklós Grofcsik András
Elektron transzport - vezetés
Kubinyi Miklós ) Lézerspektroszkópia Kubinyi Miklós )
3. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE
Výsledný odpor rezistorov zapojených vedľa seba. I V A U2U2 R2R2 – + U V I1I1 A V I1I1 A I2I2.
Auger és fotoelektron spektrumok –az inelasztikus háttér modellezése Egri Sándor Debreceni Egyetem, Kísérleti Fizika Tanszék ATOMKI.
SUGÁRZÁS TERJEDÉSE.
Az atom szerkezete Készítette: Balázs Zoltán BMF. KVK. MTI.
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A betatron Az időben változó mágneses tér zárt elektromos erővonalakat hoz létre. A térben indukált feszültség egy ott levő töltött részecskét (pl. elektront)
Nanocsövek állapotsűrűségének kísérleti vizsgálata Veres Miklós MTA SZFKI
FÉNYEMISSZIÓ, FÉNYFORRÁSOK, FÉNYKELTŐ ESZKÖZÖK
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
FÉNY ÉS ELEKTROMOSSÁG.
HERTZ HALLWASCHS Ibolyántúli sugárzás hatasára egy Zn lemez negativ elektrokomos töltéssel rendelkező, késöbb elektronok nak elnevezett.
Szép és hasznos kvantummechanika
Mérés és adatgyűjtés laboratóriumi gyakorlat Mérések MA-DAQ műszerrel 1 Makan Gergely, Mingesz Róbert, Nagy Tamás V
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Optikai koncentráció félvezető napelemekhez Fogalma A hatásfok javulásának eredete A koncentrátorok gyakorlati megvalósítási lehetőségei Példák.
Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra
A negyedik halmazállapot: A Plazma halmazállapot
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Műszeres analitika vegyipari területre
Járművillamosság-elektronika
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
A radioaktív bomlások kinetikája
Ömledékállapot, folyás Vázlat
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Készítette:Ágoston Csaba
KITEKINTÉS Elektronika I.
A félvezető dióda.
Félvezető fizikai alapok
Előadás másolata:

MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök

Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σd=dI/dV): Lineáris eset : J= σE = eµnE, az elektron termodinamikai egyensúlyban van a ráccsal, az elektromos tér elhanyagolhatóan hat a teljes energiára I E elektromos térben az l szabadúthosszon az elektron eEl energiára tesz szert, amelyet akusztikai fononnak ad át vagy kap ütközések következtében. Viszonylagos energiavesztés: =E/kT. Még nagyobb sebesség –bekapcsolódnak az optikai fononok is, a folyamat telítődik. Az ütközés rugalmas, ha eEl / E  1, ekkor vv0, azaz a pótsebesség kisebb az egyensúlyinál. Ha összemérhető vagy nagyobb – nemlineáris effektus V 100 1000 V/cm I, A/cm2 1000 100 10 Ge, 300K

Mechanizmusok: Ütközési (Avalanche) ionizáció, (E≈ 5 V/cm – az adalékok ionizációja) E Elektrostatikus ionizáció , a potenciális gát csökkenése: Tunelezés : Háromszögű gát áthaladásának valószínűsége: U Ed rm E Ec Ev 107 V/cm 105 V/cm

Alagútdióda működése:

OVONIC switch Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) bistabil OVONIC kapcsolóban Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) monostabil OVONIC kapcsolóban

Zener dióda (stabilitron) C. Zener – az átütés tunelezési mechanizmusa. 5,6 V letörési feszültség, egy másik diódával kompenzált diódában 6,2 V. –akár referencia! Áram, feszültség, hőmérséklet stabilizálás.

Metallization cell memory switch M.Mitkova.

1+( Optikai elnyelés: Bouguer törvénye 1+( Félvezetők optikája Két fontos feltétel: foton-elektron kölcsönhatásnál marad a teljes energia E1= E+h 2. foton-elektron kölcsönhatásnál marad az elektron kvaziimpulzusa p1=p+hk/2, k – hullámvektor E=p2/2m*, p=kh/2π I I0 IR x I1 1+( Tehát ha 0, k  0, dielektrikum, az anyag áttetsző, 1+( n4Eg=77

Lehető elektronátmenetek a félvezetőkben: Ec Ev E Direkt megengedett átmenetek

Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L) Nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés Fotovezetés spektruma. Fotovezetés: f =e(n0+n)n +(p0+p)p p-n átmenet, napelem f stac = e  α n I / h L Hozam: G=Ifoto/Ifoton Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L)

Fotorezisztorok kvantum hatásfoka

Lumineszcencia, eszközök Hatásfok :=pr / pr+ pnr Foto- Röntgen- Elektro- Termo- Chemo- nr r E Indikátorok, Képernyők, Kimenet: LED, laser, MQWL.

LED és LD

LED

OLED Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium (AlQ3)