GTO-k SZERKEZETE Négyrétegű félvezető Bekapcsolás: Gate-en keresztül pozitív anód-katód feszültségnél. Kikapcsolás: Gate-en keresztül negatív impulzussal .
GTO-k kikapcsolása Negatív Gate impulzussal hajtható végre. A mobil töltéshordozók kiü-rítése a Gate-n keresztül történik. A kikapcsolható anódáramot a Gate környezetében kialakuló áramsűrűség korlátozza.
ELOSZTOTT GATE-es GTO-k SZERKEZETE A kikapcsolható áramot növeli. A középső "n" réteg anódot elérő szigetei csak pozitív irányú zárófeszültséget tudnak magukra venni, negatív irányban pedig egy nagy küszöbfeszültségű "rossz" diódaként viselkednek.
GTO-k KARAKTERISZTIKÁJA
ELOSZTOTT GATE-es GTO-k STRUKTÚRÁJA
GTO-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA
GTO-k „SNUBBER” ÁRAMKÖRREL
GTO-k VEZÉRLŐ ÁRAMKÖRE
GTO-k KI ÉS BEKAPCSOLÁSA
HD GTO-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA
HD GTO-k KONSTRUKCIÓS SZERELÉSE
GTO-k ÉS HD GTO-k BEKAPCSOLÁSA
HD GTO-k KIKAPCSOLÁSA
GTO-k ÉS HD GTO-k ÖSSZEHASONLÍTÁSA
IGCT-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA
IGCT-k KIKAPCSOLÁSA
HD GTO-k ÉS IGCT-k ÖSSZEHASONLÍTÁSA
IGCT-k VEZÉRLŐ ÁRAMKÖRE
MECHANIKU MÉRETEK