Nagyteljesítményű LED

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Schönherz Elektronikai Műhely
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
A bipoláris tranzisztor II.
A bipoláris tranzisztor V.
Tranzisztoros erősítő kapcsolások vizsgálata
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
TH SM ALKATRÉSZEK.
Jelkondicionálás.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Ez a dokumentum az Európai Unió pénzügyi támogatásával valósult meg. A dokumentum tartalmáért teljes mértékben Szegedi Tudományegyetem vállalja a felelősséget,
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Elektrotechnika 1. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Erősítők.
Fizika 7. Félvezető eszközök Félvezető eszközök.
Elektronikai alkatrészek
VEZETÉK NÉLKÜLI LED MEGHAJTÁS
Áramköri alaptörvények
A bipoláris tranzisztor modellezése
SEM tanfolyam Astabil multvibrátor.
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Ellenállás Ohm - törvénye
Kérdések-válaszok a TRANZISZTOROK témaköréből
A digitális áramkörök alapelemei
Félvezető áramköri elemek
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Mikroelektronikai tervezés VLSI labor. NyÁKBOÁK vagy PCBASIC.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
Analóg alapkapcsolások
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
STABILIZÁLT DC TÁPEGYSÉG
Elektronikus készülékek 4. Előadás A készüléképítés alkatrészei II. Nem elektronikus alkatrészek.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Miért veszélyes a lézerfény a szemre?
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Optikai koncentráció félvezető napelemekhez Fogalma A hatásfok javulásának eredete A koncentrátorok gyakorlati megvalósítási lehetőségei Példák.
Villamos teljesítmény, munka, hatásfok
Alkatrészek viselkedése EGY ADOTT frekvencián: R CL URUR IRIR UCUC ICIC ILIL Feszültségek, áramok: ULUL t  /2 u(t) i(t) U max I max T t  /2 u(t) i(t)
Járművillamosság-elektronika
Szalisznyó László és segéde Takács Viktor. Feltalálója  Jack Kilby  Fizikus  Jack St. Clair Kilby amerikai fizikus volt, ő találta fel és hozta létre.
Károly Alexandra és Kocsis Ákos 10.B. Tranzisztorok A legfontosabb félvezetőeszközök: – erősítőként (analóg áramkörökben) – kapcsolóként (digitális áramkörökben)
Félvezető alapeszközök
Gépjárműjavítás I. 19. TÉTEL.
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Jelkondicionálás.
A HTE Vételtechnikai, Kábeltelevíziós Szakosztálya és a Média Klub előadása a BME TMIT I. épület B. 210-ben Rádió-vevőkészülékek évszázada Készülékek.
Félvezető áramköri elemek
Zárthelyi előkészítés
Járművillamosság és elektronika II.
Előadás másolata:

Nagyteljesítményű LED

Nagyteljesítményű LED 1W LED DIREKT NE NÉZNI BELE!!! Szükséges alkatrészek: - 1W LED - 270Ω, 0.5W ellenállás - 4 Ω, 1W ellenállás - nagyteljesítményű tranzisztor BD139 Miért nem lehet bekötni direkt?

Méretezés “közönséges” LED: 2V, 10mA, P=U*I=20mW. 1/50 része az 1W-os LED-nek. Kis árammal kell nagy áramot vezérelni – erősítés! Az erősítésre tranzisztort használunk.

Méretezés NPN bipoláris tranzisztor: kis bázisárammal tesszük lehetővé a nagyobb áram folyását a kollektortól az emitter felé.

Méretezés A kollektoráram általában 100-szor nagyobb mint a bázisáram. 10mA-es bázisáram 1A-os kollektoráramot képes előidézni.

Shéma IB=16mA. R2 az áramot 350mA-ra kell hogy korlátozza. R=U/I= Az ellenállás nagy áramot kell hogy kibírjon. Disszipáció: P=U*I=350mA*1.4V =490mW

Shéma A tranzisztor teljesítménye: 0.6V * 350mA =210mW. BD139: max. 12W-os teljesítményt bír ki.