Szalisznyó László és segéde Takács Viktor

Feltalálója  Jack Kilby  Fizikus  Jack St. Clair Kilby amerikai fizikus volt, ő találta fel és hozta létre az első integrált áramkört, a Texas Instruments- nél, 1958-ban  november 8  Jefferson City, Missouri, Egyesült Államok  június 20  Dallas, Texas, Egyesült Államok  Iskolai végzettség University of Wisconsin–Madison-ban tanult  Díjak: Fizikai Nobel-díjat 2000-ben kapta

Mi az integrál áramkör  Az integrált áramkör egy alaplemezen egyidejűleg, azonos technológiai lépésekkel létrehozott alkatrészekből álló egységes áramkör.  Az integrált áramkör jellemzői  Roncsolás nélkül nem bontható alkotóelemeire.  Nem javítható.  Nem változtathatók meg az alkatrészeinek az értékei.  Nagy megbízhatóságú.  Széles körben felhasználható.  Kis helyigényű.  A gyártási költsége kedvező.  Az integrált áramkörök csoportosítása gyártástechnológiájuk szerint:  Monolitikus áramkörök  Hibrid áramkörök

monolitikus áramkör  A monolitikus integrált áramkörben az áramkör valamennyi aktív és passzív elemét (tranzisztorok és diódák, illetve ellenállások és kis értékű kondenzátorok), valamint a hozzájuk tartozó összekötéseket egyetlen félvezető-egykristály lemezkén vagy „chip”-en (morzsán) alakítják ki. Ezt a kialakítást szokás félvezető alapú integrált áramkörnek is nevezni. A félvezető alapanyag a legtöbb esetben szilícium. Az áramkörök elemeit több egymás után következő és egymáshoz kapcsolódó gyártási fázisban adalékanyagok különböző mértékű bevitelével, illetve zárórétegek kialakításával hozzák létre.

A hibrid integrált áramkör  A hibrid integrált áramkörökben szigetelő alapanyagon állítják elő a vezetőpályákat és az ellenállásokat. Ezt a kialakítást szokás szigetelő alapú integrált áramkörnek is nevezni. A szigetelő lapra készítik el a passzív és az aktív elemeket. Az aktív elemek lehetnek monolitikus integrált áramkörök is.

Az integrált áramkör kialakításának lépései  A gyártási folyamatból azt vizsgáljuk meg, hogyan alakítják ki az integrált áramkört a szilícium chip-en! A bipoláris és MOS integrált áramköröket nagy pontosságú planár technológiával állítják elő.  Planár technológia lépése:  A szilícium szelet felületén szilícium-dioxid réteg kialakítása.  A szilícium szelet felületén létrehozott oxidrétegből fotolitográfiai és maratási eljárással oxidmaszk kialakítása.  Az adalékanyag bejuttatása az oxidmaszk nyílásán keresztül a kristályba.