Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

CMOS áramkörök CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "CMOS áramkörök CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék."— Előadás másolata:

1 CMOS áramkörök CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék

2 CMOS áramkörök Michael Faraday 1833-ban azt tapasztalta, hogy az ezüstszulfid ellenállása csökken a hőmérséklet növelésével.

3 CMOS áramkörök A bipoláris tranzisztor-hatás felfedezése 1956-ban Shockley, Bardeen és Brattain fizikai Nobel- díjat kaptak a tranzisztor-hatás felismeréséért. Tény, hogy szigetelt elektródán keresztül történő térvezérléssel vezetőképesség modulációt kívántak megvalósítani, de az akkor a felületi állapotok árnyékoló töltése miatt akkor még nem sikerülhetett.

4 CMOS áramkörök A planár technológia, szilíciumon A felületi állapotok töltése nagyságrendekkel csökkenthető, ha a szilícium felületére saját anyagából, termikusan növesztünk jól szigetelő SiO2 szilícium- dioxidot ben Jean A. Hoerny, (Fairchild) ezzel megteremtette a forradalmi jelentőségű PLANAR technológiát.

5 CMOS áramkörök Az első integrált áramkör. FAIRCHILD, ben Robert Noice, szintén a Fairchild cégnél megvalósítja az első integrált áramkört, szilíciumon, planár technológiával.

6 CMOS áramkörök A 8080 mikroprocesszor 40 lábú DIL (Dual in Line) kerámia tokban ben az Intel piacra dobja az első 8-bites mikroprocesszort, a 8080 típusjelzésű csipet. Ez 6000 szigetelt elektródájú, térvezérlésű n-csatornás MOSFET-t tartalmaz, 6-mikronos vonalfelbontással. A processzor számítási teljesítménye 0.64 MIPS.

7 CMOS áramkörök A mikroprocesszor történet néhány további métföldköve : Zilog : Z-80, 8-bites mikroprocesszor, egyszer +5 V tápfeszültséggel : Zilog : a 16-bites Z-8000 Számunkra fontos tény, hogy 1980-ban a magyar LSI-Társulás megvalósítja az első (és egyben utolsó) magyar mikroprocesszort

8 CMOS áramkörök A CMOS struktúra n+, p+ : erősen adalékolt régiók, p - : gyengén adalékolt p típusú hordozó

9 CMOS áramkörök Áramvezetés félvezető anyagokban (szilíciumban)

10 CMOS áramkörök Kovalens kötés elektronikus tisztaságú szilícium-kristályrácsban

11 CMOS áramkörök Termikus generáció-rekombináció tiszta szilíciumban

12 CMOS áramkörök N-típusú adalékolt szilícium

13 CMOS áramkörök P-típusú, adalékolt szilícium

14 CMOS áramkörök Diffúziós áram inhomogén adalékolású szilíciumban

15 Sodródási áram

16 CMOS áramkörök Átmenet egyensúlyi állapotban

17 CMOS áramkörök A MOSFET sémája és alapelve (n-csatornás, növekményes)

18 CMOS áramkörök A MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak kvalitatív magyarázata, ábrákkal

19 CMOS áramkörök A hosszú csatornájú, pl. 10 x 10 mikrométer négyzetes MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak egyszerű, szakaszos képletei, mérés alapján történő közelítéssel (MODEL-1) A trióda tartomány lineáris szakasza: I D = k (V GS – V T ) V DS A trióda tartomány telítési (szaturációs) tartomány felé tartó szakasza: I D = k ((V GS – V T ) V DS – ½ V DS 2 ) Inverzió, a telítési (szaturációs) tartományban: I DSsat = k/2 V 2 DSsat = k/2(V GS – V T ) 2 V DSsat = V GS – V T

20 CMOS áramkörök A rövid csatornájú, pl. 0.1 x1 mikrométer-négyzetes MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak egyszerű, szakaszos képletei, mérés alapján történő közelítéssel, az effektív gate-feszültség (V E ) bevezetésével (MODEL-3) Ha V E = V GS -V T > 0 és V DS < V E akkor a MOSFET trióda szakaszban van, és I D = k((V E V DS – ½ V 2 DS ) Ha V E > 0 és V* DS = V E akkor a MOSFET telítési határhelyzetbe van, és I* D = k/2(V* DS ) 2 = k/2(V E ) 2 Ha V E > 0 és V DS > V* DS = V E I D = I* D ( 1 + λ(V DS - V* DS )) = k/2(V E ) 2 ( 1 + λ(V DS - V E ))

21 CMOS áramkörök k = ? n-csatornás eszköze esetén: k = β n = μ n c ox (W / L) μ n ~ 400 cm 2 /Vs c ox = (ε o ε sio2 ) / T ox = (8.86 x F/cm x 12) / 10 x cm = 1.06 x F/cm 2 = 1.06 x F/um 2 = pF/um 2 ~ 100 fF/um 2 p-csatornás eszköz esetén: k = β p = μ p C ox (W / L) μ p ~ 200 cm 2 /Vs

22 CMOS áramkörök Egy kicsit pontosabban!

23 CMOS áramkörök

24 Inverzió U ps = 2 U p

25 CMOS áramkörök A MOSFET inverzióban, kis pozitív V DS feszültségnél W L

26 CMOS áramkörök

27 FLAT-BAND feszültség

28 CMOS áramkörök Az áram

29 CMOS áramkörök

30 A telítés (saturation) határa

31 CMOS áramkörök TELÍTÉSBEN

32 CMOS áramkörök Az n-fet áram-feszültség karakterisztikák modelljének összefoglalása

33 CMOS áramkörök p-fet

34 CMOS áramkörök TECHNOLÓGIA

35 CMOS áramkörök C-MOS technológia 1.

36 CMOS áramkörök C-MOS technológia 2.

37 CMOS áramkörök C-MOS technológia 3.

38 CMOS áramkörök C-MOS technológia 4.

39 CMOS áramkörök C-MOS technológia 5.

40 CMOS áramkörök C-MOS technológia 6.

41 CMOS áramkörök C-MOS technológia 7.

42 CMOS áramkörök C-MOS technológia 8.

43 CMOS áramkörök C-MOS technológia 9.

44 CMOS áramkörök 1. Gyakorlati feladat Az ‘mw2’ program segítségével vizsgáljuk meg egy 10/10 mikrométeres n- és p- csatornás MOSFET karakterisztikáit ! Hasonlítsuk össze a legegyszerűbb LEVEL1 és a legfejlettebb, BERKELEY (BSIM4) modelleket.

45 CMOS áramkörök

46 N-CSATORNÁS MOSFET (n-MOS, n-FET)

47 CMOS áramkörök Az n-MOSFET karakterisztikái

48 CMOS áramkörök A p-MOSFET struktúrája és szimbólumai

49 CMOS áramkörök A p-MOSFET karakterisztikái

50 CMOS áramkörök Az n-MOSFET magas szint átvitelének mérése

51 CMOS áramkörök Az n-MOSFET alacsony szint átvitelének mérése

52 CMOS áramkörök A p-MOSFET magas szint átvitelének mérése

53 CMOS áramkörök A p-MOSFET alacsony szint átvitelének mérése

54 CMOS áramkörök Az átvivőkapu, vagy transmission gate

55 CMOS áramkörök 2. Gyakorlati feladat Hozzuk létre a logikai szintátvitel mérés layout szinten, és a beépített SPICE segítségével vizsgáljuk a szint-átviteleket struktúráit az mw2 segítségével! Vizsgáljuk az n-csatornás, a p-csatornás és a CMOS kapcsolót !

56 CMOS áramkörök A C-MOS INVERTER

57 CMOS áramkörök Duális ágú CMOS inverterek és kapuk tulajdonságai

58 CMOS áramkörök Az inverter statikus transzfer karakterisztikájának V DD függése

59 CMOS áramkörök A statikus transzfer karakterisztika és a komparálási szint

60 CMOS áramkörök Inverterlánc regeneratív tulajdonsága

61 CMOS áramkörök 3. Gyakorlati feladat Tervezzünk CMOS invertert az mw2-be beépített layout-kompilátorral! Vizsgáljuk a DC-transzfer karakterisztika és az áramok tápfeszültség-függését!

62 CMOS áramkörök A MOSFET nemlineáris kapacitásai

63 CMOS áramkörök Modell a felfutási és lefutási idő számításához

64 CMOS áramkörök A lefutási folyamat kisütő áramának függése a terhelő kapacitás feszültségétől

65 CMOS áramkörök A tranziens idők közelítő számítása Közelítés : áramgenerátoros kisütés I D T f = C L V DD T f = (C L V DD ) / (( u n WC ox / 2L) ( V DD - V Tn ) 2 ) Szimmetrikus inverterre : T r = T f

66 CMOS áramkörök 4. Gyakorlati feladat Hozzunk létre inverter-párt, és vizsgáljuk a tranzienseket, illetve a pár-késleltetést a beépített SPICE szimulátorral! Építsünk fel 5 fokozatú RING-oszcillátort, és mérjük meg a periódus-időt!

67 CMOS áramkörök Duális terhelésű CMOS kapuk (NAND). Y = A. B

68 CMOS áramkörök Duális terhelésű CMOS kapuk (NOR). Y = A + B

69 CMOS áramkörök CMOS kapuk tervezése

70 CMOS áramkörök Duális terhelésű CMOS kapuk (KOMPLEX) Y = A.B + C

71 CMOS áramkörök 5. Gyakorlati feladat Kompiláljunk különféle két-bemenetű Kapukat (NAND-2, AND-2, NOR-2 OR-2), és három bemenetű komplex kapukat! Értékeljük a kompilátor működését!

72 CMOS áramkörök 6. Gyakorlati feladat Tervezzünk 1 bites komparátort, és bővítsük 4 bitessé! Verifikáljuk a beépített SPICE szimulátorral!

73 CMOS áramkörök A nagy probléma Hogyan csináljunk gazdaságos helykihasználással sokbemenetű kapukat? Például : többszáz bemenetű CMOS NOR kaput hogyan lehet úgy csinálni, hogy a többszáz sorba kapcsolt p-csatornás eszköz óriási ellenállását kompenzáljuk úgy, hogy a komparálási szint középen maradjon?

74 CMOS áramkörök Bevezetés a passzív terhelésű CMOS kapuk bemutatásához. Az n-csatornás inverterek.

75 CMOS áramkörök Kvázi n-csatornás CMOS inverter

76 CMOS áramkörök Kvázi p-csatornás CMOS inverter

77 CMOS áramkörök A passzív terhelésű kapuk hátrányai 1.Torzított logikai szintek 2.Aszimmetria a fel- és lefutási idő között 3. Valamelyik logikai szinten van statikus fogyasztás

78 CMOS áramkörök 7. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-n NOR kaput V omax = 0.1 V-ra. (0.35 CMOS, Vdd = 3 V)

79 CMOS áramkörök 8. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-p NAND kaput V 1min = 2.9 V-ra. (0.35 CMOS, Vdd = 3 V)

80 CMOS áramkörök Kapcsolt terhelésű kvázi n-csatornás CMOS inverter Csak átmenetileg folyik áram V DD – GND áram

81 CMOS áramkörök Kapcsolt terhelésű kvázi p-csatornás CMOS inverter Csak átmenetileg folyik V DD - GND áram

82 CMOS áramkörök 9-10.feladat : Alakítsuk át a korábban megtervezett kapukat kapcsolt terhelésű kapukká, és vizsgáljuk a működésüket!

83 CMOS áramkörök

84 Kvázi n- P.E. inverter

85 CMOS áramkörök Kvázi p- P.E. inverter

86 CMOS áramkörök Kvázi n- P.E. kapuk

87 CMOS áramkörök Kvázi-p P.E. kapuk

88 CMOS áramkörök 11. feladat. Tervezzünk a megfelelő mw2-es kétbemenetű kapu layoutjának módosításával kvázi-n és kvázi-p invertereket és kétbementű kapukat ! Hogyan választjuk ki az átalakításra legalkalmasabb duális ágú kapukat?

89 CMOS áramkörök DOMINO-LOGIKÁK

90 CMOS áramkörök Két kvázi-n P.E. pár Nem működik!

91 CMOS áramkörök Szimulációs kisérlettel lássuk be, hogy az egynemű P-E inverterek és kapuk nem képesek egymást megfelelő logikai szintekkel meghajtani! Magyarázzuk meg, miért rossz ez a páros!

92 CMOS áramkörök DOMINÓ inverter-kettős

93 CMOS áramkörök 11. feladat. Tervezzünk a kv-n és kv-p inverterekből dominó párt, és igazoljuk a működőképességet kísérlettel. Magyarázzuk meg, miért jó ez a páros!

94 CMOS áramkörök Logikai függvények NOR-NOR-INV realizációja (MÁTRIXOK)

95 CMOS áramkörök A XOR és XNOR NOR-NOR-INV realizációi

96 CMOS áramkörök Kettős-matrix sémája

97 CMOS áramkörök „double_matrix.sch”

98 CMOS áramkörök Az átvivő-kapu alkalmazásai 12. feladat. Az mw2 program kompilációs lehetőségét kihasználva tervezzünk transmission-gate egységet!

99 CMOS áramkörök Az átvivő-kapu alkalmazásai: Kvázistatikus latch

100 CMOS áramkörök Dinamikus D-latch

101 CMOS áramkörök Nem-átlapolt kétfázisú órajel

102 CMOS áramkörök Kétfázisú MASTER-SLAVE flip- flop

103 CMOS áramkörök Kvázistatikus kétfázisú MS flip- flop

104 CMOS áramkörök Dinamikus, kétfázisú M-S flip- flop

105 CMOS áramkörök 13. feladat. Tervezzünk kvázstatikus D tárolót! Tervezzünk kvázistatikus D-MS flip- flopot! Tervezzünk dinamikus, kétfázisú D-MS flip-flopot!

106 CMOS áramkörök ÁTVIVŐ-kapu alkalmazása XOR és XNOR áramkörökben

107 CMOS áramkörök 14. gyakorlat Tervezzünk transzfer-kapuból kialakított XNOR vagy XOR kaput! Tervezzünk 1-bites összeadót ezek felhasználásával!

108 CMOS áramkörök S-R és D-G tárolók

109 CMOS áramkörök 15. gyakorlat. Tervezzük meg az alábbi VHDL-DF modell szerinti élvezérelt D-LATCH áramkör logikai sémáját (DSCH3.5), majd LAYOUT- ját! Ebből tervezzünk élvezérelt D-MS flip-flopot is!

110 CMOS áramkörök

111

112 STATIKUS RAM CELLA

113 CMOS áramkörök Szószervezésű RAM memória

114 CMOS áramkörök Három állapotú tároló bemenetek- kvázistatikus latch beírása több forrásból. A beírások ph1-vel szinkronizálva, a tartás minden ph2-re.

115 CMOS áramkörök Három állapotú inverterek és bufferek (belső sínek és kimenetek meghajtására).

116 CMOS áramkörök A háromállapotú inverter logikai sémája (DSCH3.5)

117 CMOS áramkörök Kétirányú, háromállapotú kimenet

118 CMOS áramkörök 16. gyakorlat: Tervezzünk kimeneti buffert kb 10-es belső dinamikus fanout feltételezésével 100-as dinamikus fanout- nak megfelelő külső kapacitív terhelésre!

119 CMOS áramkörök CMOS elemek késleltetés-érzéketlen aszinkron hálózatokban

120 CMOS áramkörök MÜLLER-C elemek : MC-2 NAND kapukkal Y’ = X 1.X 2 + X 1 Y + X 2 Y

121 CMOS áramkörök 17. gyakorlat Tervezzük meg a DSCH továbbfejlesztett MOSFET szimbólumaival a speciális CMOS MC-2 áramkört, a.v eredményt transzformáljuk át VHDL leírássá, és szimuláljuk a kapott modellt!

122 CMOS áramkörök MC-2 NAND-kezdemény,NAND kapukból, LAYOUT

123 CMOS áramkörök Kétbemenetű Müller-C CMOS kapcsolókkal

124 CMOS áramkörök MC-2, CMOS tranzisztorokból

125 CMOS áramkörök Bemenet-teljes (3-2) dekóder

126 CMOS áramkörök Teljesség detektor (3 – 2)

127 CMOS áramkörök Nem HD-re épített teljesség- detektor (3-2)

128 CMOS áramkörök Kapcsolószintű logikai szimuláció I. Az ASIC tervezés válfajai: -Egyedi (FULL-CUSTOM) -Cellakönyvtáras (CELL-LIBRARY) -Kapumátrixos (GATE-ARRAY) Primitívek (levelek) -A Full-Custom tervezés primitívjei a MOSFET-k -A cellakönyvtáras tervezés primitívjei a logikai cellák (kapuk, tárolók) - Kapumátrixos tervezés primitívjei a logikai cellák (kapuk, tárolók)

129 CMOS áramkörök 18. gyakorlat A továbbfejlesztett DSCH szimbólumokkal tervezzünk : 1.Kvázistatikus LATCH áramkört, 2.Kvázi-n, passzív terhelésű 2 bemenetű NOR kaput, 3. Kvázi-p, passzív terhelésű 2 bemenetű NAND kaput, 4. Tr-gate-ből kialakított XOR áramkört. Az egységeket VHDL modellként szimuláljuk.

130 CMOS áramkörök Az alulról felfelé építkező Full-Custom tervezés folyamata

131 CMOS áramkörök Kapcsolószintű logikai szimuláció

132 CMOS áramkörök type nnewbit is ( Z, w0, w1, s0, s1, '0', '1', U); subtype newbit is resolved nnewbit;

133 CMOS áramkörök function resolved ( srcs : nnewbit_vector) return nnewbit is variable num0, num1, s0num, s1num, w0num, w1num, znum, unum : natural := 0; variable v : newbit := Z; begin for i in srcs'range loop if srcs(i) = '0' then num0 := num0 + 1; elsif srcs(i) = '1' then num1 := num1 + 1; elsif srcs(i) = s0 then s0num := s0num + 1; elsif srcs(i) = s1 then s1num := s1num + 1; elsif srcs(i) = w0 then w0num := w0num +1; elsif srcs(i) = w1 then w1num := w1num +1; elsif srcs(i) = Z then znum := znum + 1; else unum := unum + 1; end if; end loop;

134 CMOS áramkörök if unum > 0 then v := U; elsif unum = 0 and num0 = 0 and num1 > 0 then v := '1'; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 > 0 then v := '0'; elsif unum = 0 and num1 > 0 and num0 > 0 then v := U; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num > 0 and w1num = 0 then v := w0; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num > 0 then v := w1; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num = 0 and s1num = 0 and s0num > 0 then v := s0; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num = 0 and s1num > 0 and s0num = 0 then v := s1; elsif unum = 0 and znum = srcs'length then v := Z; else v:= Z; end if; return v; end resolved;

135 CMOS áramkörök library work; use work.newnstd.all; entity nfet is port ( S : in newbit; D : inout newbit; G : inout newbit; nSUB : in newbit); end; architecture BEH of nfet is begin G <= s1 when (G = '1' or G = w1) else s0 when (G = '0' or G = w0) else Z after 100 ns when G = s1 or G = s0 else Z;

136 CMOS áramkörök D <= S after 100 ps when (nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and (S = '0' or S = w0 or S = w1 or S = Z)) else w1 after 100 ps when (nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and S = '1') else s0 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '0' or D = w0) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else s1 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '1' or D = w1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else Z after 10 ns when ((D = s0 or D = s1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0) and nSUB = '0' ) else Z after 100 ps when ( nsub = '0' and S = Z) else U after 100 ps when G = Z else U after 100 ps when nSUB /= '0' else Z; end BEH;

137 CMOS áramkörök architecture BEH of R_nfet is begin G <= s1 when (G = '1' or G = w1) else s0 when (G = '0' or G = w0) else Z after 100 ns when G = s1 or G = s0 else Z; D <= w0 after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and S = '0' else w1 after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and S = '1' else U after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U)and (S = w0 or S = U ) else

138 CMOS áramkörök U after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U)and (S = w1 or S = U) else s0 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '0' or D = w0) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else s1 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '1' or D = w1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else Z after 10 ns when ((D = s0 or D = s1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0) and nSUB = '0' ) else Z after 100 ps when ( nsub = '0' and S = Z) else Z after 100 ps when (nsub = '0' and G = Z ) else U after 100 ps when nSUB /= '0' else Z; end BEH;

139 CMOS áramkörök entity CAPAC is port ( CNODE : inout newbit); end; architecture BEH of CAPAC is begin CNODE <= s1 when CNODE = '1' or CNODE = w1 else s0 when CNODE = '0' or CNODE = w0 else Z after 100 ns when CNODE = s1 or CNODE = s0 else Z; end BEH;

140 CMOS áramkörök Bemenetek és kimenetek védelme statikus feltöltődés és túlfeszültség ellen.

141 CMOS áramkörök Védődiódák

142 CMOS áramkörök INPUT/OUTPUT védelemmel

143 CMOS áramkörök Bevezetés az analóg CMOS tervezésbe

144 CMOS áramkörök Szimulátorok analóg tervezéshez A BERKELEY-SPICE IPARI/KERESKEDELMI VÁLTOZATAI: A MICROSIM CÉG PSPICE PROGRAMJA PC- RE A CADENCE CÉG IC TERVEZŐJE AZ OPUS/SPECTRE A MENTOR-GRAPHICS CÉG ELDOD SZIMULÁTORA A LINEAR TECHNOLOGY CÉGTŐL AZ LTSPICE

145 CMOS áramkörök Hálózat-analízis (szimuláció) programok szolgáltatásai -DC analízis (munkapontok kiszámítása) -Kisjelű AC analízis (frekvenciafüggés) harmonikus és négyszög-gerjesztéssel -Nagyjelű tranzisens analízis A szimulálandó modell tervezése egyszerű eszközmodelleken alapuló méretezéssel történik.

146 CMOS áramkörök Lineáris ellenállások - Poliszilícium : 10 ohm/square - Speciális szilicid : 100 ohm/square -n- és p- diffúziós csíkok : 100 ohm/square Ezek igen kis értékek, csak kis ellenállások, például bemeneti áram-korlátozás) megvalósítását teszik lehetővé. Gyakori layout alakzat a meander.

147 CMOS áramkörök Nemlineáris ellenállások MOSFET eszközökkel Ha a V GS = V DS, akkor mindkét MOSFET telítési módban működik, és nemlineáris ellenállást valósít meg. Ha a W kicsi, és az L nagy, nagy ellenállású eszközök valósíthatók meg. Tervezzünk ilyen ellenállásokat! Például n-MOSFET, W = 1.0, L = 10 mikron

148 CMOS áramkörök 19. gyakorlat. Mérjük meg becsléses pontossággal az n-MOSFET és a p-MOSFET csatornák négyzetes ellenállását egy effektív RC időállandó mérésével

149 CMOS áramkörök 20. gyakorlat. Mérjük meg becsléses pontossággal a következő felületegységre (/um 2 ) kapacitásokat, RC időállandó mérésének segítségével -poly1-poly2 kapacitás : -p + -n átmenet kapacitása : -n + - p átmenet kapacitása : -fém1-fém2 kapacitás : - n-MOSFET kapacitás : - p-MOSFET kapacitás :

150 CMOS áramkörök Diszkrét n-MOSFET földelt-forrású erősítő

151 CMOS áramkörök Nemlineáris p-MOSFET terhelésű erősítő

152 CMOS áramkörök Szimmetrikus kimenetű differenciálk-erősítő

153 CMOS áramkörök Aszimmetrikus kimenetű differenciál erősítő

154 CMOS áramkörök 21. gyakorlat. A microwind beépített SPICE szimulátora segítségével oldjuk meg a négy bemutatott erősítőre felírt egyenleteket!


Letölteni ppt "CMOS áramkörök CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék."

Hasonló előadás


Google Hirdetések