Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.

Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."— Előadás másolata:

1 http://www.eet.bme.hu Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor II. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/07-bipol2.ppt

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 2 A beépített tér, hatásfokok ► Beépített tér számítása ► Injektálási és transzport hatásfok

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 3 A beépített tér számítása A bázisban gradiense van a lyuksűrűségnek A lyukak nem áramlanak Kell legyen egy térerősség, amely az egyensúlyt tartó sodródási áramot kelti!

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 4 A beépített tér számítása

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 5 A beépített tér számítása PÉLDA Számítsuk ki a bázis beépített poten- ciálját az alábbi adatok ismeretében: N B (0) = 10 17 /cm 3, N B (w B ) = 10 15 /cm 3

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 6 Injektálási- és transzporthatásfok Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok: vagy emitter hatásfok

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 7 Az emitterhatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 8 Az emitterhatásfok számítása Inhomogén adalékolásnál: Gummel szám

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 9 A transzporthatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 10 Emitter- és transzporthatásfok Számítsuk ki az alábbi adatokkal rendelkező, homogén bázisú tranzisztor emitter- és transzport hatásfokát, valamint áramerősítését! N E = 10 19 /cm 3, w E = 2  m, N B = 4  10 16 /cm 3, w B = 1,5  m, D n =0,0026 m 2 /s, D p = 0,0011 m 2 /s,  n = 10 -6 s. PÉLDA

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 11 A tranzisztor üzemmódjai, Ebers-Moll modell

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 12 A tranzisztor üzemmódjai Normál aktív Inverz aktív TelítésLezárás EB: nyitva CB: zárva EB: zárva CB: nyitva EB: nyitva CB: nyitva EB: zárva CB: zárva

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 13 Az Ebers - Moll modell Helyettesítés a normál aktív beállításban:

14 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 14 Az Ebers - Moll modell Helyettesítés az inverz aktív beállításban:

15 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 15 Az Ebers - Moll modell Telítéses üzemben a két modellt szuperponáljuk:

16 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 16 Az Ebers - Moll egyenletek

17 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2009-10-6 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor II. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 17 Az Ebers - Moll egyenletek