Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013.

Az előadások a következő témára: "Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013."— Előadás másolata:

1 Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013

2 PVD és CVD Physical Vapor Deposition: –Vákuum gőzölés –Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition: –Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba –Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás

3 EPI-CVD reaktorok

4

5 Rétegleválasztás (CVD) V. ö.: oxidáció

6 Rétegleválasztás (CVD)

7

8 Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános (SiH 4 ) és tetrakloridos (SiCl 4 ) rendszerek. Si tetrakloridos: 800-1200 C° SiCl 4 +H 2 --------------  SiCl 2 +HCl Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl 2 2 SiCl 2  Si+SiCl 4  SiCl 4 deszorbálódik

9 Si epitaxia, kémiai reakciók A teljes reakció: SiCl 4 +H 2  Si+4 HCl A kémiai reakciók megfordíthatók  Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.

10 Si epitaxia, kémiai reakciók Rétegnövekedés sebessége SiCl 4 epitaxiával.

11 Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános rendszerek: 1000 C° SiH 4 ---------  Si+ 2H 2 A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg. A rétegnövekedés nem fordítható meg  marás nem történik.

12 Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás