Előadást letölteni
Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon
KiadtaAlfréd Lakatos Megváltozta több, mint 10 éve
1
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V
2
Poisson egyenlet
3
Potenciálgát, tömbpotenciál (Fermi-potenciál)
4
Első deriválttal való szorzás: Integrálás:
5
A felületi térerő (E s ) adódik, mint a felületi potenciálgát (sávgörbülés, s ) függvénye
6
A félvezetők fizikájában alapvető fontosságú F( s ; F ) függvény. A függőleges tengelyen a függvényérték, vagyis Q sc / 9x1 0 - 12 As / cm 2 (logaritmikus ábrázolásban), a vízszintes tengelyen a s felületi potenciálgát N félvezetőre (az adalékolás 2.5x10 15 /cm 3, a tömbpotenciál F = 0.31 V)
8
Az F( s F ) függvény segítségével a szilícium felület egységére eső töltés is kifejezhető: ahol a 2qn i L Di szorzat értéke szobahőmérsékleten szilíciumra 9x10 -12 As/cm 2 A tértöltés kapacitás a töltés deriváltja:
9
Töltések és a potenciál megoszlása ideális MOS rendszeren
10
Az ideális C-V görbe a potenciálgát értékével, mint paraméterrel C V
11
A Berglund integrál C V
12
Az ideális Q-V görbe
13
Összefüggés az ideális Q-V görbe és az ideális C-V görbe között Ellenőrzés: Lineáris fgv. + potenciálgát
Hasonló előadás
© 2024 SlidePlayer.hu Inc.
All rights reserved.