MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor V.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Elektrotechnika 1. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Erősítők.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
A bipoláris tranzisztor modellezése
Félvezető áramköri elemek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Analóg alapkapcsolások
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2012 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
7. Egyenirányító alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Készítette:Ágoston Csaba
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Félvezető áramköri elemek
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Dióda karakterisztikák http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/05-dioda2.ppt

Dióda karakterisztikák Az ideális diódakarakterisztika Másodlagos hatások 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az ideális dióda karakterisztika 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az ideális dióda karakterisztika I0 a kisebbségi hordozó sűrűséggel arányos! I0 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az ideális dióda karakterisztika PÉLDA Egy Si dióda telítési árama I0=10-13 A. Mekkora a nyitófeszültség, ha az áram 10 mA? PÉLDA Mennyivel kell a nyitó feszültséget növelnünk ahhoz, hogy a nyitó áram tízszeres legyen? 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Másodlagos jelenségek Soros ellenállás Generációs áram Letörési jelenségek (később) Rekombinációs áram (csak említjük) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Másodlagos jelenségek A soros ellenállás Nagy áramoknál jelentkezik. Oka: Megoldás: epitaxiális szerkezet 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Másodlagos jelenségek PÉLDA A soros ellenállás Számítsuk ki a dióda soros ellenállását a 100oC karakterisztika alapján! 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Másodlagos jelenségek A generációs áram A záró tartományban elvileg amiből pA nagyságrend adódna. A tapasztalat: 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Másodlagos jelenségek A rekombinációs áram log IF A nyitó tartományban fellépő, kis áramoknál jellemző jelenség ~ exp(U/UT) A jelenség indirekt sávú félvezetőkre az ún. Shockley-Read-Hall modell alapján jól leírható. ~ exp(U/2UT) m: nem-idealitási faktor 1..2 között UF 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Dióda kapacitásai Tértöltés kapacitás Diffúziós kapacitás 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapacitásai Tértöltési kapacitás Diffúziós kapacitás a záró tartományban domináns Diffúziós kapacitás csak a nyitó tartományban van Értelmezés: differenciálisan, adott nyitóáram/feszültség mellett 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapacitásai A tértöltés kapacitás 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Hol vannak a szemben álló töltések? A dióda kapacitásai A diffúziós kapacitás Hol vannak a szemben álló töltések? 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapacitásai A diffúziós kapacitás Káros! Lassítja a működést. Csökkenthető:  csökkentés, keskenybázisú dióda 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapacitásai PÉLDA Számítsuk ki a Si dióda tértöltési kapacitását, ha a kiürített réteg szélessége 0,33 m és a dióda felülete 0.02 mm2. Számítsuk ki a diffúziós kapacitást ha a dióda árama I=1 mA és ha =100 ns. 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapacitásai Nagyságrendek: CT 1-10 pF CD nF-ok Hasznosítás: (egy kisteljesítményű diódára) Hasznosítás: CT rezgőkör hangolás, erősítés mikrohullámon CD -- 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Munkapont DC munkapont szerkesztése Munkaponti linearizálás, kisjelű működés Differenciális ellenállás, kapacitás Modellek 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A munkapont Karakterisztika: a dióda egyenlet által meghatározott, összetartozó áram-feszültség értékek, amelyek a működés közben előfordulhatnak. Valós működés közben egy dióda vagy bármely más nemlineáris elem a karakterisztika egy adott pontjában működik – ez a munkapont. A munkapontot a diódát befoglaló áramkör elemei is meghatározzák. 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A munkaegyenes szerkesztése A probléma: egy lineáris és egy nemlineáris elem soros kapcsolása U+ I U U+/R UD UR I=UR/R U+ R UD I=UR/R Grafikus megoldás 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A munkaegyenes szerkesztése Hogyan változik a munkapont, ha az U+ telepfeszültséget növeljük? I U+/R U+ R UD I=UR/R U UD UR U+ A munkaegyenes önmagával párhuzamosan eltolódik 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A munkaegyenes szerkesztése Hogyan változik a munkaegyenes, ha R változik? I U+/R2 U+ R UD I=UR/R U+/R U+/R1 U U+ Elfordul az U+ pont körül: változik a meredeksége 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda nagyjelű helyettesítőképe Ilyen a számítógépi dióda-modell topológiája. Kellenek még: modell egyenletek (pl. I=I0(exp(U/UT)-1) modell paraméterek (pl. I0, rs, stb.) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Munkaponti linearizálás U+/R UD UR I=UR/R U+ R UD I=UR/R Kis változások esetére a munkapontban linearizálhatjuk a karakterisztikát linearizálhatjuk 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kisjelű működése A munkapont fogalma i1 i(t) t I U IM IM M Kisjelű: linearizált vizsgálat, a váltakozó komponensre u(t) u1 t Meddig kisjelű? rdiff munkapont függő! 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda differenciális ellenállása Nyitó tartomány, I >> I0 : Ha a soros ellenállással is számolunk: 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda differenciális ellenállása PÉLDA Egy dióda soros ellenállása 2 Ohm. Számítsuk ki a differenciális ellen-állását az I=1 mA, 10 mA, 100 mA munkapontokban! 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kisjelű helyettesítőképe Az elemek munkapont-függőek! Emlékeztető: 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Hőmérséklet- függés 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A működés hőmérsékletfüggése A karakterisztika erős hőmérsékletfüggést mutat. Ennek oka: a kisebbségi töltéshordozók koncentrációjának hőmérsékletfüggése. Nyitó feszültség: UF adott IF esetében kb. 2 mV-tal csökken 1C hőmérsékletemelkedés hatására lineáris hőmérsékletfüggés nagy tartományban: hőmérsékletmérésre alkalmas Záró feszültség: IR adott UR esetében kb. 7-10%-kal változik 1C hőmérsékletváltozás hatására (10 C-onként duplázódik) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A működés hőmérsékletfüggése Záró tartomány: Si diódánál IR ~ ni  1,15  1,075  7,5 %/oC Nyitó tartomány: 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A működés hőmérsékletfüggése Nyitó tartomány: PÉLDA U=700 mV, Si, dU/dT=? Vessük össze a karakterisztikával! 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A munkapont hőmérsékletfüggése kb. -2mV/oC I IM UD IM U UD UD Kényszerített áram mellett a pn átmenet nyitófeszültsége nagyon jó hőmérséklet-érzékelő... Az érzékenység enyhén függ az IM munkaponti áramtól. 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kapcsoló működése 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Diódás vágó áramkörök De itt a diódát ideálisnak tekintettük! Uki(t)= 0, ha Ube(t)  0 Ube(t), ha Ube(t)  0 De itt a diódát ideálisnak tekintettük! Mi változik, ha nem az? 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Diódás vágó áramkörök A bemeneti és a kimeneti feszültség kapcsolata: Transzfer karakterisztika 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Diódás vágó áramkörök 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Tranziens jelenségek Gyors átkapcsolás a nyitó tartományból a záróba: a kapacitások miatt a dióda még véges ideig vezet. Ez a záróirányú feléledési jelenség. 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Záró irányú feléledés Záróirányú feléledési idő Reverse recovery time trr (2-3 ns egy gyors diódára) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda tranziens működése A diffúziós egyenlet: Ebből számoltuk n(x,t)-t Egyszerűsítünk: n(x,t) helyett a Q(t) össztöltéssel számolunk 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda tranziens működése A töltésegyenlet Az áram két dologra fordítódik: rekombináció pótlása töltés növekmény/fogyás 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Letörési jelenségek Lavina letörés Zener átütés 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Oka két fizikai jelenség egyike: Letörési jelenségek Oka két fizikai jelenség egyike: Lavina letörés Zener átütés 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A lavina letörés UL a gyengébben adalékolt oldaltól függ: M a sokszorozási tényező UL a gyengébben adalékolt oldaltól függ: 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A Zener letörés Fizikai ok: az alagúthatás 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Szilíciumnál 6V alatt Zener, fölötte lavina. Letörési jelenségek A két mechanizmus összehasonlítása UL~N-1 UL~N-0.7 Szilíciumnál 6V alatt Zener, fölötte lavina. 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Letörési jelenségek Felhasználás: a Zener-dióda Feszültség referencia Feszültség stabilizálás (kis fogyasztásnál) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A legjobb: az 5V körüli dióda Letörési jelenségek A Zener diódák hőmérséklet függése A legjobb: az 5V körüli dióda (Si diódáról van szó) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Gyakorlati kérdések Kivitel Adatlapok 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A diódák gyakorlati kivitele Nagyáramú Kisáramú (Az integrált áramköri kivitelről majd később beszélünk) 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az adatlapok 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az adatlapok 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az adatlapok 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az adatlapok 0  100 oC 6,5  1200 nA (1200/6,5)^0.01=1.054 5,4 %/oC 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Az adatlapok 2009-09-30 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Karakterisztikák © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008