Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés 2008. október 10.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Humán erőforrás gazdálkodás aktuális kérdései I szeptember 18.
Advertisements

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A programozás alapjai 1. (VIEEA100) 9. előadás.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Áramlástan Tanszék
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Számítógépes képelemzés 2007/08 I. félév Előadó:Dr. Gácsi Zoltán Gyakorlatvezető:Póliska Csaba Koncz-Horváth Dániel.
Műszaki és környezeti áramlástan I.
Pannon Egyetem Kihelyezett Képzés Székesfehérvár.
MEGÚJULÓ ENERGIAFORRÁSOK BIOMASSZA
Meglévő ASP.NET 2.0 alkalmazás kiegészítése AJAX-szal
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Megújuló energiaforrások – Lehetőségek és problémák
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
A bipoláris tranzisztor I.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bemutatkozás. Juhász István Elérhetőségek Gazdaságtudományi Intézet Közgazdaságtan és Jog Tanszék, B. épület 226. szoba Fogadóórák:Kedd –
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Tüzeléstechnika Követelmények
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2009 I. félév Követlemények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2012 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Technische und Wirtschaftswissenschaftliche Universität Budapest Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente MIKROELEKTRONIK, VIEEAB00.
FAZEKAS ANDRÁS ISTVÁN PhD c. egyetemi docens
Tantárgyi követelmények szeptember 8.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A zárthelyi feltételei A zárthelyi teljes ideje 60 perc. Ebből a 6 rövid kérdés kidolgozására 20 perc időt adunk, ezt követően a zárthelyinek ezt a részét beszedjük. A rövid kérdések válaszai tehát külön lapra írandók! Válaszként egy szó, egy fél mondat, vagy egy képlet, egy alkalmas ábra is elég  egyedüli feltétel, hogy a válasz egyértelműen értékelhető legyen. Az eredményes (legalább elégséges) NZH átlag elérése érdekében ajánlott: a teljes zárthelyi 48 pontjából legalább 24 pont megszerzése. Az aláíráshoz a két ZH pontjait együttesen értékeljük.

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Minta zárthelyi Rövid kérdések (2 pont/kérdés) 1. Írja fel a sodródási áramsűrűség kifejezését elektronokra! 2. Írja fel az ideális dióda karakterisztika egyenletét! 3. Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a tértöltési kapacitás növekszik vagy csökken? stb. Összesen 12 pont

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Minta zárthelyi Tételszerűen kifejtendő kérdés (24 pont) Statikus viszonyok a PN átmenetben. Számpélda (6+6 pont = 12 pont) Egy abrupt Si PN átmenet adalékkoncentrációi: N a = /cm 3, N d = /cm 3. Mekkora az átmenet U D beépített potenciáljának értéke? 5V zárófeszültség esetén mekkora lesz a kiürített réteg szélessége?