Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések, a tanszéki processz

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Technológia ► Alapvető technológiai lépések ► Egyes gyártóberendezések

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Alapvető gyártási lépések ► Rétegleválasztás vagy növesztés: új anyagréteg jön létre a félvezető (szilícium) szelet teljes felületén ► Struktúrálás (patterning): a kialakított anyagrétegben mintázatot alakítunk ki  fotoreziszt felvitele  mintázat ráfényképezése a rezisztre, a reziszt előhívása  mintázat átvitele a rezisztről valamilyen marási művelettel (etching)  reziszt eltávolítása ► Külső adalékok mélységi bevitele: ion implantáció (korábban diffúzió)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Mintázat kialakítása ► Az eredeti mintázat egy fotomaszkon van  üveg hordozón króm mintázat ► Nagy pontossági igény:  0.03µm / 30cm!  ► Látható fény:  = µm  deep UV-re van szükség!

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Monolitikus IC-k Mono lit = egy kő Mélységi struktúra Felületi struktúra (mintázat, pattern) MFS – min. csíkszélesség a legfontosabb jellemző: 15  m  0.18  m vagy még kisebb...

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET ► Rétegleválasztás / rétegnövesztés:  epitaxiális réteg növesztése (a meglévő Si egykristállyal egyező szerkezetű, esetleg másképp adalékolt réteg) ma pl.: IBE – ion-beam epitaxy: atomi rétegek leválasztásának a lehetősége / kvantumos hatások lehetősége az eszközökben  oxidáció (SiO 2 leválasztás vagy növesztés)  vákuumpárologtatás (evaporation) – pl. Al fémezés  Egyéb rétegleválasztási módszerek katódporlasztás (sputtering) CVD: chemical vapor deposition – kémiai gőzfázisú leválasztás, stb. Mélységi struktúra kialakítása

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET ► A klasszikus epitaxia: egykristályos réteg hozzánövesztése a hordozóhoz  gőz vagy folyadék fázisból  A növesztett réteg kristályszerkezet u.a. mint szubsztráté Epitaxiális rétegnövesztés Si szeletek ~1200 o C

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET ► A SiCl 4 /H 2 arányától függően  egkristály növesztése  polikristályos Si növesztése: poliszilícium lehet még amorf szilíciumot is létrehozni  maratás Adalékolni is lehet! Epitaxiális rétegnövesztés

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Epitaxiális rétegnövesztés Oxidnövesztés ► Termikus oxidálás ( o C) ► Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) MBE: molecular beam epitaxy ► Molekula sugaras epitaxia:  ún. kvantum eszközök készülnek ilyennel

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Vákuumpárologtatás ► Szabad úthossz > edény mérte ► Fémezés: ~ µm ► Ma: elektronsugaras forrás

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Katódporlasztás ► Kis nyomáson gázkisülés (pl. Ar atmoszférában) hordozza a leválasztandó anyagot ► Nagyfrekvenciás meghajtással szigeteleő anyagok is porlaszthatók

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET ► Adalék atomok bevitele a Si-egykristályba a Si tulajdonságainak módosítása végett Mélységi struktúra kialakítása 3D gyémántrács Egyszerű 2D nézet V. oszlopbeli adalék (5 v.é): extra elektron DONOR n-típusú Si III. oszlopbeli adalék (3 v.é.): elektron hiány ACCEPTOR p-típusú Si

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Az adalékolás szelektivitása? ► A SiO 2 kitűnően maszkolja az adalék atomokat (ellenálló, összefüggő réteg – GaAs-nél ilyen nincs) ► Ahol ablak van benne, ott behatolnak az adalékok Diffúzió mély profil Ion implantáció sekély profil A SiO 2 mintázat maszkolja

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET ► Adalékok bevitele diffúzióval  Az adalék atomok diffundálnak az igen nagy hőmérsékletű Si-ban  Mozgató az atomok energiájának statisztikus eloszlása: intersticiális vándorlás: helycsere a Si atomokkal hibahelyeken vándorlás  Milyen mélységi eloszlás alakul ki? Fick törvények: Mélységi struktúra kialakítása

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Diffúzió ► Egy fontos megoldás: ► Gyakorlati végrehajtás 2 lépésben  elődiffúzió (pl o C, 3 óra)  behajtás / drive-in(pl o C, 1 óra) ► Ma: ion implantáció után végső profil kialakítása

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Diffúzió ► A diffúziós kályha (furnace) A SiO 2 mintázat maszkolja kvarc csónak

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ipari méretű diffúziós kályha

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ion implantáció ► Tömegspektrométerrel egy ionsugárból kiválasztott ionokat lövünk a Si szeletre mint target-re ► Az adalékok kezdeti eloszlása az ionsugár energiájától és dózisától függ ► Az implantációt hőkezelés követi  a szilícium egykristály szerkezetének helyreállítása  az adalékok behajtása: végső adalékeloszlás (adalék profil) kialakítása ► ~100 kV nagyságrendű feszültség

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ion implantáció A SiO 2 mintázat maszkolja Átlagos behatolási mélység, körülötte véletlen eloszlás  Gauss profil

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Ion implantáció A SiO 2 mintázat maszkolja Alacsony hőmérsékletű lépés. Előny: korábbi adalékprofilokat nem nagyon rontjuk el

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Struktúrálás: fotolitográfia SiO 2 lesz az adalékolás maszkoló rétege 1.fotoreziszt felvtele 2.mintázat fényképezése a rezisztre 3.előhívás (oldás, hőkezelés) 4.mintázat átvitele a rezisztről az oxidre nedves marással patterning / mintázat kialakítása

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET A felületi struktúra kialakítása ► Fotolitográfiával – ez minden mintázatkialakítás (patterning) első lépése ► Az oxidlépcsők problémája: step coverage Ablaknyitás az oxidon - fotolitográfiával

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Az ablaknyitás lépései Fémezés mintázatához teli-fémezés fotoreziszt fényképezés, előhívás fölösleges fém kimaratása reziszt eltávolítása

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia ► Sárga fényű helyiségben – a reziszt UV-re érzékeny, sárgára nem Monolit IC Labor, Mikroelektronika szakirány az EET-n IC gyár valahol a világban Új tanszéki labor

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Egy egyszerű pMOS technológia ► Technológiai lépések az EET Félvezető Laboratóriumában (tiszta szobájában)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Szelettisztítás

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Vastagoxid-növesztés (ún. field oxide) P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: reziszt cseppentés, felpörgetés P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: maszkillesztés P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: megvilágítás P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Fotolitográfia: előhívás P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Mintázat átmásolása: az oxid kimarásával

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Fotolitográfia: oxidmarás, lakkeltávolítás

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Bórdiffúzió szilárd fázisból, elődiffúzió P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET Bórüveg eltávolítása P-csatornás monolit IC készítése

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Bórdiffúzió második lépése: behajtás (oxigénben)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Fotolitográfia: ablaknyitás a gate-oxid számáraFotolitográfia: lakk eltávolításaVékonyoxid-növesztés a gate számáraFotolitográfia: ablaknyitás a fémezés számáraFotolitográfia: lakk eltávolításaAlumínium vákuumgőzölése fémezés céljára

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Fotolitográfia: fém vezetékhálózat kialakításaFotolitográfia: lakk eltávolításaKész struktúra

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése Darabolás, eutektikus kötés, termokompresszió

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Technológiai áttekintés © Poppe András, Székely Vladimír & Juhász László, BME-EET P-csatornás monolit IC készítése ► Akit érdekel, érdeklődhet Juhász László adjunktusnál ► Lehetőségek:  Monolit IC készítése  Napelem készítés választható tárgyak, valamint:  TDK (érdeklődni: Bognár György TDK felelősnél)  Önálló labor (érdeklődni: Bognár Györgynél)  Szakdolgozat (érdeklődni: Kollár Ernőnél) napelem készítése