MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor I. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/06-bipol1.pptx
A bipláris tranzisztor felépítése Keresztmetszeti rajz, Felülnézeti fotók A belső tranzisztor 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor felépítése Két pn átmenet, szoros (néhány m) közelségben BJT bipolar junction transistor Ez a planáris tranzisztor Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk... 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az wBM "metallurgiai" bázisvastagság 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor felépítése 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor felépítése Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0,50,50,3 mm 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B E 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
Integrált áramköri BJT vagy eltemetett réteg 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
Integrált áramköri BJT C B E eltemetett réteg 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A "belső tranzisztor" és a paraziták "Belső": ahol a 3 réteg (n,p,n) szemben áll egymással 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A tranzisztor működés feltételei 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága. 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipláris tranzisztor működése Tranzisztor hatás A bipoláris tranzisztor áramai 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A tranzisztor több, mint két dióda! A tranzisztor hatás A tranzisztor több, mint két dióda! 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A tranzisztor hatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor 1949 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor áramai Normál aktív beállítás: EB átmenet nyitva, CB zárva A = áramerősítés (közös bázisú, egyenáramú, normál irányú) 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor áramai Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok: 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
A bipoláris tranzisztor áramai Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázis nyitva zárva nyitva zárva QB bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
Potenciál viszonyok Effektív bázisvastagság Bázisszélesség-moduláció UB a bázis beépített potenciálja 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014
Potenciál viszonyok 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014