MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor III.
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Elektronikai alkatrészek
A bipoláris tranzisztor modellezése
Félvezető áramköri elemek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2009 I. félév Követlemények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2012 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Technische und Wirtschaftswissenschaftliche Universität Budapest Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente MIKROELEKTRONIK, VIEEAB00.
Félvezető alapeszközök
Elektronika Tranzisztor (BJT).
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor I. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/06-bipol1.pptx

A bipláris tranzisztor felépítése Keresztmetszeti rajz, Felülnézeti fotók A belső tranzisztor 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor felépítése Két pn átmenet, szoros (néhány m) közelségben BJT bipolar junction transistor Ez a planáris tranzisztor Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk... 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az wBM "metallurgiai" bázisvastagság 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor felépítése 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor felépítése Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0,50,50,3 mm 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B E 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Integrált áramköri BJT vagy eltemetett réteg 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Integrált áramköri BJT C B E eltemetett réteg 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A "belső tranzisztor" és a paraziták "Belső": ahol a 3 réteg (n,p,n) szemben áll egymással 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A tranzisztor működés feltételei 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága. 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipláris tranzisztor működése Tranzisztor hatás A bipoláris tranzisztor áramai 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A tranzisztor több, mint két dióda! A tranzisztor hatás A tranzisztor több, mint két dióda! 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A tranzisztor hatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor 1949 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor áramai Normál aktív beállítás: EB átmenet nyitva, CB zárva A = áramerősítés (közös bázisú, egyenáramú, normál irányú) 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor áramai Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok: 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A bipoláris tranzisztor áramai Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázis nyitva zárva nyitva zárva QB bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Potenciál viszonyok Effektív bázisvastagság Bázisszélesség-moduláció UB a bázis beépített potenciálja 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Potenciál viszonyok 2014-10-15 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014