Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Stabilitás vizsgálati módszerek
Advertisements

Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
Digitális elektronika
Összefogalás.
TIRISZTOROK SZERKEZETE
Elektromos mennyiségek mérése
Kompenzációs feladat megoldás menete.  Labilis kompenzálatlan rendszer amplitúdó diagramja alapján rajzolja meg a fázis diagramját!  Jelölje meg a.
Számpélda a földelt kollektoros erősítőre Adatok: Rg=0.5k; RB=47k;
Diszkrét idejű bemenet kimenet modellek
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Elektrotechnika 3. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
controller plant Gd(s) Gc(s) Ga(s) Gp0(s) Gt(s)
Az egyhurkos szabályozási kör statikus jellemzői
Elektrotechnika 14. előadás Dr. Hodossy László 2006.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtestfizikai alapjai szükségesek.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
2. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Az LPQI rész a Partner Az LPQI-VES társfinanszírozója: Dr. Dán András Az MTA doktora, BME VET Meddőenergia kompenzálás elmélete és alkalmazása.
A 741-es műveleti erősítő belső kapcsolása
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Félvezető áramköri elemek
7. Házi feladat megoldása
Molekuláris elektronika Hajdu Ferenc Elektronikai Technológia Tanszék 2003.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
MÉRÉSEK HÍDMÓDSZERREL
STABILIZÁLT DC TÁPEGYSÉG
 Farkas György : Méréstechnika
 Farkas György : Méréstechnika
A félvezetők működése Elmélet
egyszerűsített szemlélet
BEVEZETŐ Dr. Turóczi Antal
Comenius Logo (teknőc).
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
c.) Aszimmetrikus kimenettel Erősítések Bemenetek:
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
ISMÉTLÉS A LOGOBAN.
Az egyhurkos LTI szabályozási kör
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Az egyhurkos szabályozási kör statikus jellemzői
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Klasszikus szabályozás elmélet
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda.
Jelkondicionálás.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1

A hurokerősítés Bode-diagramjának elhelyezkedése: Elektronika 2 / 3. előadás A hurokerősítés Bode-diagramjának elhelyezkedése: H, dB -20 dB/D 2 (log)  1 H0, dB 6 dB 0.52 -40 dB/D

Frekvencia- (fázis-) kompenzáció Elektronika 2 / 3. előadás Frekvencia- (fázis-) kompenzáció Cél: a visszacsatolt erősítő stabil legyen elegendő stabilitási tartalékkal. Előírt fázistartalék:  = 45 C. A kiindulási hurokerősítés: hárompólusú.

Elektronika 2 / 3. előadás 1. módszer H, dB Eredeti instabil H0 1 3 -20 dB/D -40 dB/D 1 3 (log)  d 1 2 -60 dB/D H eredeti (log)  0 -90 1 -135 -180  = 45  -270 -360 -180  alatt, emiatt instabil

Elektronika 2 / 3. előadás 2. (és 3.) módszer H, dB (log)  (log)  Eredeti instabil 1 2 3 1* 2 és 3 H0 -20 dB/D -40 dB/D -60 dB/D H 0  -90  -180  -270  -360   = 45  -135  eredeti -180  alatt, emiatt instabil 2 és 3 is 3

Elektronika 2 / 3. előadás 4. módszer H, dB Eredeti instabil H0 4 (log)  Eredeti instabil 1 2 3 1** 2* 4 H0 -20 dB/D -40 dB/D -60 dB/D H 0  -90  -180  -270  -360   = 45  -135  eredeti -180  alatt, emiatt instabil

Elektronika 2 / 3. előadás Összesítés H, dB (log)  Eredeti instabil (log)  Eredeti instabil 1 2 3 d 1* 1** 2* 1 2 és 3 4 H0 -20 dB/D -40 dB/D -60 dB/D H 0  -90  -180  -270  -360   = 45  -135  eredeti -180  alatt, emiatt instabil 2 és 3 is

Az 1. módszer megvalósítása: Elektronika 2 / 3. előadás Az 1. módszer megvalósítása: Új tényező: 1/(1+s/d) ahol d = 1/Cc(R1xR2) R1 R2 Cc

A 2. módszer megvalósítása: Elektronika 2 / 3. előadás A 2. módszer megvalósítása: 1 megváltozik 1*-ra: 1* = 1/[(C+Cc)(R1xR2)] R1 R2 Cc C

A 3. módszer megvalósítása: Elektronika 2 / 3. előadás A 3. módszer megvalósítása: A módosító tényező: (1+s/1)/(1+s/1*), ahol: 1 = 1/RcCc és 1* = 1/Cc(Rc+R1xR2) R1 Rc Cc R2

A 4. módszer megvalósítása: Elektronika 2 / 3. előadás A 4. módszer megvalósítása: A két új tényező közül az egyik olyan, mint a 3. módszernél, a másik: (1+s/2)/(1+s/2*), ahol 2 = 1/R1Cc2 és 2* = 1/(R1xR2)Cc2. R1 R2 Cc2

 n és p típusú félvezetők Elektronika 2 / 3. előadás 2. Aktív alkatelemek Dióda (p-n átmenet) Alapfogalmak:  Félvezető  Szennyezés  Donor  Akceptor  Töltéshordozók (elektronok, lyukak, többségi és kisebbségi töltéshordozók)  n és p típusú félvezetők

Elektronika 2 / 3. előadás Szimbólum: Karakterisztika: U I -IS U I

Szokásos áramtartomány (0,1 … 10 mA) Elektronika 2 / 3. előadás Diódaegyenlet Telítési áram (I0) Termikus feszültség (UT) számításamódja és gyakorlati értéke (26 mV 27C-on) Szokásos áramtartomány (0,1 … 10 mA) Diódafeszültség ebben a tartományban Dinamikus ellenállás