A bipoláris tranzisztor I.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
Az optikák tulajdonságai
A fotokémiai képrögzítés
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
TH SM ALKATRÉSZEK.
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Elektronikai alkatrészek
A bipoláris tranzisztor modellezése
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Félvezető áramköri elemek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
A grafikus megjelenítés elvei
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Félvezető alapeszközök
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Nagyteljesítményű LED
A félvezető dióda.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Félvezető áramköri elemek
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

A bipoláris tranzisztor I. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március

1. A bipoláris tranzisztor felépítése Ez a planáris tranzisztor Két pn átmenet, szoros (néhány m) közelségben BJT Ez a planáris tranzisztor Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk...

A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az wBM “metallurgiai” bázisvastagság

A bipoláris tranzisztor felépítése

A bipoláris tranzisztor felépítése Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0,50,50,3 mm

A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B E

Az integrált áramköri BJT felépítése

Az integrált áramköri BJT felépítése

A “belső tranzisztor” és a paraziták “Belső”: ahol a 3 réteg (n,p,n) szemben áll egymással

A tranzisztor működés feltételei 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága.

2. A tranzisztorhatás A tranzisztor több, mint két dióda!

2. A tranzisztorhatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor

3. A bipoláris tranzisztor áramai Normál aktív beállítás: EB átmenet nyitva, CB zárva A = áramerősítés (közös bázisú, egyenáramú, normál irányú)

3. A bipoláris tranzisztor áramai Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:

Végülis miből jön az áramerősítés? N P N

A bipoláris tranzisztor áramai Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázis QB bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor

4. Potenciál viszonyok Effektív bázisvastagság UB a bázis Bázisszélesség-moduláció UB a bázis beépített potenciálja

4. Potenciál viszonyok