MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
TIRISZTOROK SZERKEZETE
Advertisements

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Programmozás Feladatok Telek Miklós BME Híradástechnikai Tanszék
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2009 I. félév Követlemények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2012 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Technische und Wirtschaftswissenschaftliche Universität Budapest Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente MIKROELEKTRONIK, VIEEAB00.
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Félvezető alapeszközök
Készítette:Ágoston Csaba
A félvezető dióda.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/04-dioda1.ppt

A félvezető dióda Amit eddig tanultunk róla Hogy készül? Hogy műküdik? 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Diódák – amit eddig tanultunk …dióda egy félvezetőgyártó adatlapján: 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda fontosabb tulajdonságai Egyenirányít! VF0.7 V A karakterisztika fogalma I = f(U) stacionárius Záró tartomány (reverse) I ~ 10-12 A/mm2 (Si, T=300 K) Nyitó tartomány (forward) I ~ exp(U/UT) 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda fontosabb tulajdonságai Szimbólum, mérőirány U I A K p n anód katód UF vagy VF nyitó feszültség (forward voltage) IF nyitó áram (forward current) 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda fontosabb tulajdonságai Dinamikus tulajdonságok: kapacitás, véges működési sebesség Másodlagos jelenségek például: "letörés" 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kivitele "pn junction" Kiindulás: Si egykristály szelet Oxidálás, ablaknyitás, n diffúzió, fémezés Darabolás, felforrasztás, tokozás 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A dióda kivitele – adalékprofil metallurgiai átmenet Adalékprofil: adaléksűrűség a mélység függvényében 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Vizsgálati módszerünk 1. Egydimenziós vizsgálat, “kihasított hasáb” 2. Homogén adalékolás, “abrupt” profil 3. Egyik oldal erősebben adalékolt (legyen ez az n oldal) Nd >> Na 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Két külön darab: Fermi szintek az intrinsic szinthez képest az adalékolásnak megfelelően eltolódnak: 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

PN átmenet A P és az N oldal között potenciál lépcső alakul ki. Ez pont akkora lesz, hogy kiegyenlítődjön a Fermi-szint Mindkét oldal többségi hordozói áramolnak a túloldal felé, amíg a Fermi-szint ki nem egyenlítődik. 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Elektrosztatikus viszonyok Kiürített rétegek (tértöltés rétegek): töltés kettősréteg 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Érintkezési és diffúziós potenciál Ufn fém – n-Si kontakt potenciál UD diffúziós potenciál a p és n oldal között Upf p-Si – fém kontakt potenciál A huroktörvény értelmében: 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A diffúziós potenciál számítása nn, pn pp, np 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A diffúziós potenciál számítása tömeghatás tv. „beépített” potenciál „built-in” voltage 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

A diffúziós potenciál számítása PÉLDA Egy abrupt Si dióda adalék adatai: Nd=1018/cm3, Na=1016/cm3. Határozzuk meg a diffúziós potenciál értékét szobahőmérsékleten! Nyilván UD < Ug, , általában 70-80 %-a. 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Számítások a kiürített rétegre A két töltés egyenlő A gyengébben adalékolt oldalon szélesebb a kiürített réteg. 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Számítások a kiürített rétegre 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Számítások a kiürített rétegre 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008

Számítások a kiürített rétegre PÉLDA Egy abrupt Si dióda adalék adatai: Nd=1018/cm3, Na=1016/cm3. Határozzuk meg a kiürített rétegek szélességét! (r=11,8, U=0V) És ha U= -100V ? 2009-09-25 Mikroelektronika - A pn átmenet működése: Sztatikus viszonyok © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008