Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
„Esélyteremtés és értékalakulás” Konferencia Megyeháza Kaposvár, 2009
Advertisements

Hotel Eger Park Konferenciaközpont október
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar VET Villamos Művek és Környezet Csoport Budapest Egry József.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Feladatok Mikro és nanotechnika pót ZH-ra na meg pótpótZH-ra 
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Utófeszített vasbeton lemez statikai számítása Részletes számítás
Védőgázas hegesztések
Tűrések, illesztések Áll: 34 diából.
Pázmány - híres perek Pázmány híres perek.
I. A GÉPELEMEK TERVEZÉSÉNEK ALAPELVEI
Szerkezeti elemek teherbírásvizsgálata összetett terhelés esetén:
6. Előadás Merevítő rendszerek típusok, szerepük a tervezésben
Darupályák tervezésének alapjai
Ma sok mindenre fény derül! (Optika)
A mozgatórendszerre ható erők
dr. Szalkai István Pannon Egyetem, Veszprém
Lineáris egyenletrendszerek (Az evolúciótól a megoldáshalmaz szerkezetéig) dr. Szalkai István Pannon Egyetem, Veszprém 2007.
Elektronikus Eszközök Tanszék
szakmérnök hallgatók számára
Mechanikai Laboratórium
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
A fésűs meghajtó Nézzük meg, hogy mi a legcélszerűbb kialakítása az elektrosztatikus mozgató szerkezetnek! Céljaink: nagy erőhatást szeretnénk, tehát dC/dx.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar VET Villamos Művek és Környezet Csoport Budapest Egry József.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2009 I. félév Követlemények.
CNC forgácsoló tanfolyam 2008 – 2009 Dr. Neiger Róbert
Elektronikus Eszközök Tanszéke 2003 INTEGRÁLT MIKRORENDSZEREK MEMS = Micro- Electro- Mechanical Systems.
Elektronikus Eszközök Tanszék 1999 INTEGRÁLT MIKRORENDSZEREK MEMS = Micro- Electro- Mechanical Systems.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2012 I. félév Követelmények.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
A mozgatórendszerre ható erők
Előadás másolata:

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek: MEMS-ek

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET MEMS-ek ► Áttekintés ► Különféle MEMS-ek

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Szilárdságtani alapfogalmak Feszültség (mechanikai) “normális” (húzó, nyomó) [N/m 2 ] Relatív megnyúlás [ - ]

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Szilárdságtani alapfogalmak  és  kapcsolata? Lineáris közelítés: Hooke törvény E anyagjellemző állandó Rugalmassági modulus Young modulus [N/m 2 ] Kristályos szerkezetnél E irányfüggő! Szilícium

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Jellegzetes probléma: a hajlított rúd A hajlítási tengely helye ? A hajlítási tengely a súlyponton halad át!

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Jellegzetes probléma: a hajlított rúd Mennyi a görbületi sugár ? Tisztán geometriai jellemző I a keresztmetszet “másodrendű nyomatéka” ahol

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Jellegzetes probléma: a hajlított rúd Példa Mennyi a másodrendű nyomatéka egy téglalap keresztmetszetű rúdnak?

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Jellegzetes probléma: a konzol (cantilever) Hajlításra terhelt konzol:

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Hajlításra terhelt konzol (cantilever) S rugóengedékenység [m/N]

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Hajlításra terhelt konzol (cantilever) Példa.Számoljuk ki a vázolt, Si egykristályból készült konzol rugó- engedékenységét! A kristály felülete az (100) síkba esik, a konzol tengelye (010) irányú. A méretek: a = 50  m b = 6  m l = 400  m. A diagramból E = 1,3  N/m 2

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Hajlításra terhelt konzol (cantilever)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Gyorsulás érzékelő A működési elv: ahol a szenzor érzékenysége [s 2 ] MEMS kivitel (bulk):

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Gyorsulás érzékelő MEMS kivitel (felületi):

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Gyorsulás érzékelő Példa Számoljuk ki az érzékenységet és a rezonancia frekvenciát! A tömeg m =  V = 2330 kg/m 3  1,2  1,2  0,25  m 3 = 8,4  kg Egy hídra S =0,091 m/N Négy hídra S = 0,0227 m/N Az érzékenység K = 0,0227 m/N  8,4  kg = 1,9  s 2 10 g gyorsulás  1,9  m elmozdulás A sajátfrekvencia

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Gyorsulás érzékelő Az elmozdulás érzékelés módja: 1. Piezorezisztív Az n-Si piezorezisztív együtthatói  m 2 /N 2. Kapacitív

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Az elektrosztatikus erőhatás

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Az elektrosztatikus erőhatás Példa Számítsuk ki egy síkkondenzátornak tekinthető mikroszerkezet két elektródája közötti erőhatást! Az elektródák felülete A=0,01 mm 2, távolságuk s=2  m, a feszültség 100V. A méretcsökkentéssel az elektrosztatikus erőhatás egyre hatékonyabbá válik!

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A fésűs meghajtó (comb drive) Előnyök: felületi megmunkálás viszonylag nagy erő konstans erő w

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A fésűs meghajtó (comb drive)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A fésűs meghajtó (comb drive)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A fésűs meghajtó (comb drive) 2D mozgatás

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő A Seebeck effektus S a Seebeck állandó [V/K] S értéke félvezetőkre kimagaslóan nagy! Például Si/Al kontaktusnál ~ 1 mV/K

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő Példa. Számítsuk ki az effektív érték mérő érzékenységét az alábbi adatokkal: a = 100  m, b = 5  m, L = 120  m, = 150 W/mK, S = V/W, R = 2 k , N = 12 Például U be = 10 V  U ki = 0,96 V

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő Határfrekvencia Cv térfogategységre számolt hőkapacitás, [Ws/m3]

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő Határfrekvencia Pólusok a negatív valós tengelyen. Az első: Példa. Számítsuk ki az imént tárgyalt effektív érték mérő határfrekvenciáját! Adatok: a = 100  m, b = 5  m, L = 120  m, c v = 1,6  10 6 Ws/m 3 Az első töréspont

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A termikus elvű effektív érték mérő Egy gyakorlati alkalmazás: RF teljesítmény mérő

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Termikus aktuátorok Alapjelenség: a hőtágulás Si 2,6 - 4,1 ppm/ o C ( K) Ni 12,7 - 16,8 ppm/ o C CTE - coefficient of thermal expansion (e)

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Termikus aktuátorok Példa. A rúd méretei: 5  20  500  m, anyaga Si E =1,3  N/m 2 e = 3 ppm/ o C  T = 100 o C Egyik vége szabadon, a megnyúlás Mindkét végén befogva, az erő

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Termikus aktuátorok „Megtört rudas” mechanikai transzformátor

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Termikus aktuátorok „Bimetall” aktuátor

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET MEMS nyomásérzékelők