A bipoláris tranzisztor II.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
Az optikák tulajdonságai
A fotokémiai képrögzítés
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor III.
Képfeldolgozás - esettanulmányok
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Erősítők.
A bipoláris tranzisztor modellezése
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
A grafikus megjelenítés elvei
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Nanoelektronika Csonka Szabolcs Fizika Tanszék, BME
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Technische und Wirtschaftswissenschaftliche Universität Budapest Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente MIKROELEKTRONIK, VIEEAB00.
Félvezető alapeszközök
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Járművillamosság és elektronika II.
Előadás másolata:

A bipoláris tranzisztor II. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március

A beépített tér számítása A bázisban gradiense van a lyuksűrűségnek A lyukak nem áramlanak Kell legyen egy térerősség, amely az egyensúlyt tartó sodródási áramot kelti!

A beépített tér számítása

A beépített tér számítása PÉLDA Számítsuk ki a bázis beépített poten- ciálját az alábbi adatok ismeretében: NB(0) = 1017 /cm3, NB(wB) = 1015 /cm3

Injektálási- és transzporthatásfok Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:

Az emitterhatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

Az emitterhatásfok számítása Inhomogén adalékolásnál: Gummel szám

A transzporthatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

Emitter- és transzporthatásfok Számítsuk ki az alábbi adatokkal rendelkező, homogén bázisú tranzisztor emitter- és transzport hatásfokát, valamint áramerősítését! PÉLDA NE = 1019 /cm3, wE = 2 m, NB = 41016 /cm3, wB = 1,5 m, Dn =0,0026 m2/s, Dp = 0,0011 m2/s, n = 10-6 s.

A tranzisztor üzemmódjai Normál aktív Inverz aktív Telítés Lezárás

Az Ebers - Moll modell Helyettesítés a normál aktív beállításban:

Az Ebers - Moll modell Helyettesítés az inverz aktív beállításban:

Az Ebers - Moll modell Telítéses üzemben a két modellt szuperponáljuk:

Az Ebers - Moll egyenletek

Az Ebers - Moll egyenletek

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás

Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

Az ideális tranzisztor karakterisztikái X UCE A telítés határa: UBC = 0 UBE = UCE