A bipoláris tranzisztor II. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március
A beépített tér számítása A bázisban gradiense van a lyuksűrűségnek A lyukak nem áramlanak Kell legyen egy térerősség, amely az egyensúlyt tartó sodródási áramot kelti!
A beépített tér számítása
A beépített tér számítása PÉLDA Számítsuk ki a bázis beépített poten- ciálját az alábbi adatok ismeretében: NB(0) = 1017 /cm3, NB(wB) = 1015 /cm3
Injektálási- és transzporthatásfok Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:
Az emitterhatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk
Az emitterhatásfok számítása Inhomogén adalékolásnál: Gummel szám
A transzporthatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk
Emitter- és transzporthatásfok Számítsuk ki az alábbi adatokkal rendelkező, homogén bázisú tranzisztor emitter- és transzport hatásfokát, valamint áramerősítését! PÉLDA NE = 1019 /cm3, wE = 2 m, NB = 41016 /cm3, wB = 1,5 m, Dn =0,0026 m2/s, Dp = 0,0011 m2/s, n = 10-6 s.
A tranzisztor üzemmódjai Normál aktív Inverz aktív Telítés Lezárás
Az Ebers - Moll modell Helyettesítés a normál aktív beállításban:
Az Ebers - Moll modell Helyettesítés az inverz aktív beállításban:
Az Ebers - Moll modell Telítéses üzemben a két modellt szuperponáljuk:
Az Ebers - Moll egyenletek
Az Ebers - Moll egyenletek
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás
Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás
Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás
Az ideális tranzisztor karakterisztikái X UCE A telítés határa: UBC = 0 UBE = UCE