Zárthelyi előkészítés

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Erősítő számítása-komplex feladat
Digitális elektronika
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Mérés és adatgyűjtés Virtuális méréstechnika
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Erősítők.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
Fizika 7. Félvezető eszközök Félvezető eszközök.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Fázishasító kapcsolás Feszültségerősítések Au1 Au2 Egyforma nagyság
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Félvezető áramköri elemek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Analóg alapkapcsolások
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Félvezető áramköri elemek
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

Zárthelyi előkészítés Villamosmérnöki Szak Elektronika I. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2004 március 26. péntek

E.I.B.: Le Ba Kh-Schriffert St. nagy: Simon -Zs III.26. Péntek, 1415 Ch max: A-Egri IB 028: Erdélyi-Lantai E.I.B.: Le Ba Kh-Schriffert St. nagy: Simon -Zs Semmi segédeszköz nem használható (számológép sem). Telefonok kikapcsolandók. A személyi azonosság igazolása feltétel !

A zárthelyi részei 10 “rövid kérdés” 20 pont 1 tételszerűen kifejtendő kérdés 8 pont 2 számpélda 12 pont A zárthelyi teljes ideje 60 perc, a rövid kérdéseket 20 perc után beszedjük. Az eredményes (legalább elégséges) ZH feltétele: a rövid kérdésekből legalább 14 pont, a teljes zárthelyiből legalább 22 pont

Rövid kérdések A lyukaké 1. Írja fel a sodródási áramsűrűség kifejezését elektronokra! 2. Növekszik a hőmérséklet. Egy n típusú félvezetőanyagban melyik nagyobb: az elektronok vagy a lyukak százalékos sűrűségnövekedése? A lyukaké

Rövid kérdések Csökken 3. Írja fel az ideális dióda karakterisztika egyenletét. 4. Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a tértöltési kapacitás változatlan marad, növekszik, vagy esetleg csökken? Csökken

Rövid kérdések 5. Hogyan definiáljuk a félvezető dióda záró irányú feléledési idejét? 6. Mit nevezünk emitterhatásfoknak?

Rövid kérdések 5. Hogyan definiáljuk a félvezető dióda záró irányú feléledési idejét? 6. Mit nevezünk emitterhatásfoknak? Emitter által injektált elektronáram Teljes emitteráram

Rövid kérdések 7. Rajzolja fel a bipoláris tranzisztor FE kimeneti karakterisztikáját! 8. Mit nevezünk f határfrekvenciának? 9. Írja fel a FE h21 paraméter definícióját! 10. Rajzolja fel a bipoláris tranzisztor 2 elemes FB helyettesítőképét! IB UCE IC IC UCE UCE 0 pont 0 pont 1 pont IC 2 pont

Számpéldák (2 db) Egy bipoláris tranzisztor munkaponti emitterárama IE=2 mA, kisjelű közös emitteres áramerősítése =400. Mekkora a tranzisztor bemeneti ellenállása közös emitteres kapcsolásban, ha a bázisréteg soros ellenállása 250 ohm?

Tételszerűen kifejtendő kérdés Írja le, hogy a pn átmenetnek milyen kapacitásai vannak. Milyen fizikai hatások okozzák ezeket, értékük hogyan függ a munkaponttól.