A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
Advertisements

TIRISZTOROK SZERKEZETE
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
A térvezérelt tranzisztorok (JFET és MOSFET)
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XI. Előadás Félvezetők fizikája Törzsanyag Az Európai Szociális.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtestfizikai alapjai szükségesek.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
A bipoláris tranzisztor modellezése
A bipoláris tranzisztor IV.
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V. Poisson egyenlet.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Mikroelektronikába: technológiai eljárások
A bipoláris tranzisztor I.
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezetők működése Elmélet
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Egykristályok előállítása
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Félvezető alapeszközök
Készítette:Ágoston Csaba
A félvezető dióda.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 február

A dióda az adatlapon Dióda, pn átmnet

A dióda fontosabb tulajdonságai A karakterisztika fogalma Egyenirányít! A karakterisztika fogalma I = f(U) stacionárius Záró tartomány (reverse) I ~ 10-12 A/mm2 (Si, T=300 K) Nyitó tartomány (forward) I ~ exp(U/UT)

A dióda fontosabb tulajdonságai Szimbólum, mérőirány

A dióda fontosabb tulajdonságai Dinamikus tulajdonságok: kapacitás, véges működési sebesség Másodlagos jelenségek például: “letörés”

A (planáris) dióda kivitele “pn junction” Kiindulás: Si egykristály “szelet” Oxidálás, ablaknyitás, n diffúzió, fémezés Darabolás, felforrasztás, tokozás

A dióda kivitele az adalékprofil fogalma Adaléksűrűség a mélység függvényében A “kompenzált” félvezető Donor-akceptor: netto adalékolás

Vizsgálati módszerünk 1. Egydimenziós vizsgálat, “kihasított hasáb” 2. Homogén adalékolás, “abrupt” profil 3. Egyik oldal erősebben adalékolt (legyen ez az n oldal) Nd >> Na

1. Elektrosztatikus viszonyok Mindkét oldal többségi hordozói áramolnak a túloldal felé, amíg a Fermi-szint ki nem egyenlítődik.

Elektrosztatikus viszonyok Mi tartja fenn ezt a (kontakt) potenciállépcsőt?

Elektrosztatikus viszonyok Kiürített rétegek (tértöltés rétegek): töltés kettősréteg

Érintkezési potenciál, diffúziós potenciál Kirchoff

A diffúziós potenciál számítása nn, pn pp, np

A diffúziós potenciál számítása „beépített” „built-in”

A diffúziós potenciál számítása PÉLDA Egy abrupt Si dióda adalék adatai: Nd=1018/cm3, Na=1016/cm3. Határozzuk meg a diffúziós potenciál értékét szobahőmérsékleten. Nyilván UD < Ug, , általában 70-80 %-a.

Számítások a kiürített rétegre vonatkozóan A gyengébben adalékolt oldalon szélesebb a kiürített réteg. Kifelé semleges

Számítások a kiürített rétegre vonatkozóan Háromszög területe

Számítások a kiürített rétegre vonatkozóan

Számítások a kiürített rétegre vonatkozóan PÉLDA Egy abrupt Si dióda adalék adatai: Nd=1018/cm3, Na=1016/cm3. Határozzuk meg a kiürített rétegek szélességét! (r=11,8, U=0V) És ha U= -100V ?