Napelemek laboratórium 1. gyakorlat

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Az optikai sugárzás érzékelése
A monolit technika alaplépései
Vékonyréteg Si napelemek, technológia fejlesztési irányok.
Készítette:Eötvös Viktória 11.a
Az optikai sugárzás érzékelése  Belső fényelektromos hatás  Záróréteges fényelektromos hatás  Külső fényelektromos hatás  Termo-elektromos hatás.
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Napelemek Készítette: Vincze István (JHKAXQ) Energetika BMEGEENMN01
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Napenergia-hasznosítás
Si egykristály előállítása
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XI. Előadás Félvezetők fizikája Törzsanyag Az Európai Szociális.
Fizika 7. Félvezető eszközök Félvezető eszközök.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Elektron transzport - vezetés
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A megújuló energiaforrások
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Szilícium alapanyagok minősítése
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V. Poisson egyenlet.
Félvezetők dr. Mizsei János, 2010 Egyedi atom:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
A bipoláris tranzisztor I.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezetők működése Elmélet
Napenergia és felhasználása
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
Nap, mint megújuló energiaforrás a gyakorlatban
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Optikai koncentráció félvezető napelemekhez Fogalma A hatásfok javulásának eredete A koncentrátorok gyakorlati megvalósítási lehetőségei Példák.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Egykristályok előállítása
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
4. gyakorlat Készítette: Földváry Árpád
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda.
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Zárthelyi előkészítés
Előadás másolata:

Napelemek laboratórium 1. gyakorlat Dr. Mizsei János

Áttekintés A fúziós - fotovoltaikus energiatermelő rendszer működése A fény és a félvezető kölcsönhatása Az energiatranszport, a beérkező energia spektruma Az ideális napelem jellemzői A legkedvezőbb munkaponti beállítás megkeresése A legkedvezőbb félvezetőanyag kiválasztása A legkedvezőbb rétegszerkezet kialakításának szempontjai Napelem cellák, kapcsolat a gyakorlati megvalósítás és az elmélet között 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Fúziós - fotovoltaikus energiatermelő rendszer q Wg hν hν ≥ Wg Csatolás a napkorona elektronjai és a földi atomok, szilárdtestek elektronjai között 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Az energiatranszport folyamatának részletei 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A besugárzás különféle feltételei AM - air mass 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A fény és a félvezető kölcsönhatása dx x 1,1eV 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A fény és a félvezető kölcsönhatása A generációs ráta: G(λ,x)=α(λ)·F(λ)·[1-R(λ)]·exp(-α(λ)·x) 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Energiaspektrum 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Napelem működése rövidzárásban Rövidzárásban R =0, U=0, I=IL A beépített tér szétválasztja a generált töltéshordozókat A generálódott kisebbségi töltéshordozók eljuthatnak a kiürített rétegig, ha diffúziós hosszon belül vannak 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Napelem működése üresjárásban Üresjárásban R =∞, U=U0, I=0 Szakadás esetén kialakul az üresjárási nyitófeszültség Lecsökkenti a diffúziós potenciált A fény által generált árammal egyenlő diffúziós áram folyik át az átmeneten (erősen megvilágított eset) 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Ideális napelem karakterisztikák 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Ideális napelem karakterisztikák Iz Im Um U0 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Ideális napelem karakterisztikák Konstrukció rejtve: 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Ideális napelem karakterisztikák Konstrukció rejtve: 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Fény detektálására alkalmas paraméterek Üresjárás esetén (I=0), a karakterisztika logaritmikus lesz: 10x-es fényintenzitás esetén: Rövidzár esetén (U=0), a karakterisztika lineáris lesz: 10x-es fényintenzitás esetén: If0 – a fotonfluxus (másodpercenként beeső fotonok sűrűsége) 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A napelem munkapontja, ideális eset FF – Fill Faktor 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A napelem munkapontja, veszteséges eset Rs – soros ellenállás Rsh – átvezetés (párhuzamos ellenállás) IL – generált fotoáram 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A soros ellenállás és az átvezetés hatása (Hő)veszteség RS Maximális teljesítmény 1 1 W 0.77 2 W 0.57 5 W 0.27 10 W 0.14 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A legkedvezőbb félvezetőanyag kiválasztása a beérkező fotonok energia spektruma a beérkező összes teljesítmény: 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A legkedvezőbb félvezetőanyag kiválasztása Cu(In,Ga)Se2 A legkedvezőbb félvezetőanyag földi körülmények között energiakoncentrálás nélkül, illetve ezerszeres energiakoncentrációval 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Hullámzás energiájával működő vízikerék Szinuszos hullámzást („A” amplitúdóval) feltételezve Pmax nyerhető, H=0.39A gátmagasság esetén Gát H A Nem hasznosítható Fölösleges 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

A rétegszerkezet kialakításának szempontjai Optimális anyagválasztás Tiltott sáv szélessége Kisebbségi töltéshordozók élettartama A p-n átmenet Létrehozása Természete Adalékolása Mélysége A kontaktusok minősége Felületi rekombináció Soros ohmikus ellenállás 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Napelem cellák fajtái A beépített potenciál eredete Anyagválasztás p-n átmenet(ek) fém-félvezető átmenetek MOS szerkezetek Anyagválasztás egykristályos multikristályos, (polykristályos) amorf elemi, vegyület félvezetőkből Technológia választás tömb vékonyréteg kivitelben 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Napelem cellák fajtái Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

PEARL (passivated emitter and rear locally) cella hátoldali kontaktus oxid előoldali kontaktus ARC réteg „inverz” piramis felületi struktúra 24%-os hatásfok 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Tandem cella 22%-os hatásfok Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

HIT cella (Sanyo) 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Inverziós és Schottky gátas cella Inverziós cella Schottky gátas cella 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Amorf szilícium (a-Si) napelem nagyon vékony (0,008 µm) p+ réteg intrinsic réteg (0,5 – 1 µm) vékony (0,02 µm) n+ réteg 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Amorf szilícium (a-Si) napelem 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

CIS (copper indium diselenid) napelem Cella keresztmetszeti képe CIS cella felépítése 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Több átmenetes cellák Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat

Napelem típusok összehasonlítása 2018.05.05. Napelemek laboratórium - 1. gyakorlat