Teljesítményelektronika IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET és BJT tulajdonságok Nagyobb feszültségzáró képesség Kisebb vezetési veszteség Nagyobb kapcsolási sebesség Feszültségvezérelt jelleg
Insulated Gate Bipolar Transistor
Transzfer karakterisztika
Kapcsolási hullámforma
FBSOA, RBSOA
Meghajtóköri elvárások Gyors kapcsolás Nagy áramterhelhetőség Deszaturáció elleni védelem (túláram, rövidzár) Miller Clamping Hőmérsékleti védelem Össszenyitás elleni védelem
BJT totem-pole
IGBT kikapcsolási karakterisztika
Active Clamp
Advanced Active Clamp
Advanced Active Clamp VGE (5V / DIV) IC (200A / DIV) VCE (200V / DIV)
DESAT
Infineon 1ED020xx driver