Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

ET7: 1 7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások: A félvezető technológiában a rétegek.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "ET7: 1 7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások: A félvezető technológiában a rétegek."— Előadás másolata:

1 ET7: 1 7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások: A félvezető technológiában a rétegek mintázatát általában szubtraktív eljárással készítik: a teljes felületet réteggel vonják be, majd fotolitográfia és maratás kombinációjával a nem kívánt helyekről a réteget eltávolítják. A rétegeltávolítás módszerei a nedves és száraz maratási eljárások. Szilícium izotróp és anizotróp maratása: Az egykristályos szilícium anizotróp módon is maratható. Ezáltal szabályos és pontos geometriai alakzatok, mechanikai szerkezetek készíthetők. Ezeket a tömbi és felületi mikromechanika alkalmazza. Egyes mikromechanikai szerkezetek kialakításához ideiglenes, u.n. áldozati rétegek szükségesek.

2 ET7: 2 SiO 2 oxidmaszk készítése fotolitográfiával Fotoreziszt SiO 2 Fényzáró mintázat Fotomaszk Fotoreziszt SiO 2 1. Oxidnövesztés (rétegkészítés) 2. Fotoreziszt felvitel UV fény 3. Megvilágítás 5. Oxidmaratás 6. Fotoreziszt eltávolítás 4. Előhívás Fotoreziszt SiO 2 Fotoreziszt SiO 2 SiO 2 maszk

3 ET7: 3 Fotomaszk készítése ábragenerátorral Fotolitográfiai maszkolási elvek, maszk-generálás Maszkolási elvek Kontakt maszk Távoli maszk Kontakt maszkolás: kisebb az alávilágítás, ezért pontosabb Távoli maszkolás: a réteg és a maszk nem érintkezik, egyik sem sérül meg

4 ET7: 4 Különböző sugárfajták össze- hasonlítása litográfiai alkalmazás szem- pontjából fotoreziszt vákuum fotoreziszt hordozó levegő vákuum levegő maszk Látható fényElektronsugár IonsugárRöntgensugár

5 ET7: 5 Számítógép Interfész áramkörök Sugár ki/be kapcsolás Elektronforrás Elektromágneses sugáreltérítés Elektrondetektor X-Y asztal Helyzet vissza- csatolás Elektron- sugaras litográfiai berendezés működési elve

6 ET7: 6 Nedves maratáshoz használt maratószerek Szilícium (Si) maratószerei: Izotróp maratáshoz 3 ml HF + 5 ml HNO ml CH 3 COOH (fluorsav + salétromsav + ecetsav) vizes oldata Anizotróp maratáshoz KOH (kálium-hidroxid) vizes oldata SiO 2 oxidmaró: 28 ml HF g NH 4 F ml víz (+ esetleg HNO 3 ) Alumínium (Al) (huzalozási célú fémezés) maratószerei: NaOH (nátriumhidroxid) vizes oldata HCl (sósav) vizes oldata H 3 PO 4 + HNO 3 (foszforsav + salétromsav) vizes oldata Arany (Au) (huzalozási célú fémezés) maratószerei: Királyvíz: 1 rész konc. HCl + 3 rész konc. HNO 3 Jodidos marató: 400 g KI g I ml víz Nikkel-króm (Ni-Cr) (ellenállásréteg) marószere: Ce IV (SO 4 ) 2 + HNO 3 (cérium (IV) szulfát + salétromsav) + víz


Letölteni ppt "ET7: 1 7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások: A félvezető technológiában a rétegek."

Hasonló előadás


Google Hirdetések