Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés 2008. október 10.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés 2008. október 10."— Előadás másolata:

1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A zárthelyi feltételei A zárthelyi teljes ideje 60 perc. Ebből a 6 rövid kérdés kidolgozására 20 perc időt adunk, ezt követően a zárthelyinek ezt a részét beszedjük. A rövid kérdések válaszai tehát külön lapra írandók! Válaszként egy szó, egy fél mondat, vagy egy képlet, egy alkalmas ábra is elég  egyedüli feltétel, hogy a válasz egyértelműen értékelhető legyen. Az eredményes (legalább elégséges) NZH átlag elérése érdekében ajánlott: a teljes zárthelyi 48 pontjából legalább 24 pont megszerzése. Az aláíráshoz a két ZH pontjait együttesen értékeljük.

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Minta zárthelyi Rövid kérdések (2 pont/kérdés) 1. Írja fel a sodródási áramsűrűség kifejezését elektronokra! 2. Írja fel az ideális dióda karakterisztika egyenletét! 3. Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a tértöltési kapacitás növekszik vagy csökken? stb. Összesen 12 pont

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - Követelmények © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Minta zárthelyi Tételszerűen kifejtendő kérdés (24 pont) Statikus viszonyok a PN átmenetben. Számpélda (6+6 pont = 12 pont) Egy abrupt Si PN átmenet adalékkoncentrációi: N a = /cm 3, N d = /cm 3. Mekkora az átmenet U D beépített potenciáljának értéke? 5V zárófeszültség esetén mekkora lesz a kiürített réteg szélessége?


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés 2008. október 10."

Hasonló előadás


Google Hirdetések