Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia."— Előadás másolata:

1 http://www.eet.bme.hu Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/09-bipIC-2014.pptx

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC technológia 2014-10-18 2 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC technológia lépései n epi réteg leválasztása n + eltemetett réteg M p szigetelés diffúzió M p szubsztrát p+ bázis diffúzió M n+ emitter diffúzió M kontaktus ablakok M fémréteg leválasztása fémezés mintázat M n kollektor n+ eltemetett réteg p+ bázis n+ emitter 2014-10-18 3 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 Minden adalékolási lépéshez tartozik egy ablaknyitás az oxidban, ezt nem ábrázoljuk külön. Az ilyen ablaknyitáshoz maszk kell.

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Structure of bipolar IC transistors burried layer collector n type island p-Si substrate base contact emitter base collector contact 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 4

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 1. n+ burried layer doping (for collector regions) M p n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 5

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 2. n epi layer growth for the active islands n p n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 6

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 3. p type isolation doping (deep diffusion through the n epi layer) M n p p n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 7

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 4. p+ base diffusion M n p p p+ n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 8

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 5. n+ emitter diffusion (also for better collector contact) M n p p p+ n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 9

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps n p p p+ 6. contact window opening p+ n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 10

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 6. contact window opening M n p p p+ n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 11

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 7. metallization pattern n p p p+ n+ 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 12

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Major process steps 7. metallization pattern M n p p p+ n+ Masks needed for a bipolar process: burried layer (n+) isolation (deep p through n epi) base (p) emitter (n+) contact windows metallization pattern The process is optimized for creating good NPN transistors 17-10-2014 Microelectronics BSc course, Element set in bipolar IC-s © András Poppe & Vladimír Székely, BME-EET 2008-2014 13

14 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Lehetséges alkatrészek ► A technológiát (vertikális) npn tranzisztorra optimalizálják ► Bizonyos részek elhagyásával, vagy trükkös fémezéssel más alkatrészek is kialakíthatóak  különleges npn tranzisztorok  ellenállások  dióda  pnp tranzisztor ► Többlet maszkkal és többlet technológiai lépéssel: vékonyréteg kapacitás 2014-10-18 14 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

15 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2014-10-18 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008- 2014 15 Bipoláris IC technológiával megvalósítható alkatrészek ► Ellenállás bázis diffúzióval ► Emitter diffúzióval megnyomott ellenállás ► PNP tranzisztorok ► Vékonyréteg kapacitás ► Egy OpAmp layoutja

16 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A bipoláris integrált áramkörök alapelemei 2014-10-18 16 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 NPN tranzisztor Megnyomott ellenállás Bázis diffúziós ellenállás

17 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Egy bipoláris IC részlete pásztázó elektronmikroszkóppal leképezve 2014-10-18 17 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 Nagy meander alakú ellenállás

18 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek a szigetelés-diffúzió 2014-10-18 18 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

19 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek npn (vertikális) tranzisztor 2014-10-18 19 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

20 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az npn IC tranzisztor szerkezete 2014-10-18 20 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

21 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek npn tranzisztorok Hatásos emitter él a báziskontaktus oldalán (I=2 A/cm), EB letörés: 5-6 V, CB letörés 40-50 V, f T =800-900 MHz Technológia: az npn (vertikális) tranzisztorokra optimálva 2014-10-18 21 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

22 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Nagyáramú npn tranzisztor 2014-10-18 22 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

23 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek npn tranzisztorok Hatásos emitter él a báziskontaktus oldalán (I=2 A/cm) 2014-10-18 23 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

24 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek npn tranzisztorok változatai Helytakarékos megoldások: két tranzisztor közös zsebben, multiemitteres tranzisztor 2014-10-18 24 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

25 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Bázisdiffúziós ellenállás R – négyzetes ellenállás 2014-10-18 25 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

26 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Bázisdiffúziós ellenállások Egy szigetben több ellenállás is lehet. A sziget +U CC -re kötendő! 2014-10-18 26 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

27 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Bázisdiffúziós ellenállás, meander alakban hajtogatva Pontosság Paraziták 2014-10-18 27 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

28 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mi kell ahhoz, hogy két ellenállás (alkatrész) NAGYON egyforma legyen? azonos rajzolat azonos pozíció közel egymáshoz NEM minimális méret azonos hőmérséklet layout termikus szimulációja 2014-10-18 28 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

29 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek "megnyomott" bázisdiffúziós ellenállás 2014-10-18 29 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

30 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek értéke néhányszor 100 k  (kb.) emitter diffúzió bázisdiffúzió Enyhén nemlineáris Feszültsége korlátozott "megnyomott" bázisdiffúziós ellenállás 2014-10-18 30 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

31 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke "zömök" emitterdiffúziós ellenállás (vezeték keresztezés) értéke kb. 2  Emitter diffúzió Fémezés Bipoláris IC alkatrészek 2014-10-18 31 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

32 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Laterális pnp tranzisztor 2014-10-18 32 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

33 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Több is lehet egy zsebben! Bipoláris IC alkatrészek Laterális pnp tranzisztor 2014-10-18 33 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

34 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Önmagában áramtükör! Bipoláris IC alkatrészek Laterális "szektor" pnp tranzisztorok 2014-10-18 34 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

35 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke I I I 3I Köralakúak is léteznek! Bipoláris IC alkatrészek Laterális "szektor" pnp tranzisztorok 2014-10-18 35 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

36 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke n + eltemetett réteg ellenütemű erősítő (B) Bipoláris IC alkatrészek Vertikális pnp tranzisztor 2014-10-18 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 36

37 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke d ox : 0,1  m (50 V) C fajl : 3-400pF/mm 2 A jósági tényező javítása A parazita kapacitás hatástalanítása Bipoláris IC alkatrészek A "vékonyréteg" kondenzátor 2014-10-18 37 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

38 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek Vékonyréteg (fém-SiO 2 -n + ) kondenzátor egy műveleti erősítőben Értéke: kb. 30pF C fajl : 3-400pF/mm 2 2014-10-18 38 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

39 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Hasonlítsuk össze a kondenzátor és egy tranzisztor méretét! Bipoláris IC alkatrészek Vékonyréteg (fém-SiO 2 -n + ) kondenzátor egy műveleti erősítőben 2014-10-18 39 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

40 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bipoláris IC alkatrészek A pn átmenet mint kondenzátor A tértöltési kapacitás kihasználható, de feszültségfüggő (nemlineáris) nem kaphat nyitó feszültséget ! EB: 1000pF/mm 2 (5 V-ig ! ) CB: 150pF/mm 2 (~50 V-ig ) 2014-10-18 40 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

41 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Műveleti erősítő layout, alkatrész elrendezés T1, T2: NPN, bemeneti differenciálerősítő T3, T4: PNP, laterális T5, T6, T7: NPN T10, T11, T13: PNP laterális tranzisztorok D1, D2: diódák T16-17: NPN darlington T19-21: egy zsebben 3 NPN tranzisztor R1, R6: nagy ellenállások R7: megnyomott ellenállás R8, R9: kis ellenállások T22: PNP vertikális T23: NPN vertikális (nagyáramúak) Szimmetria, hogy a termikus hatások a lehető legegyformábbak legyenek 2014-10-18 41 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

42 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Bemeneti diff. erősítő (common centroid) Kimeneti tranzisztorok Az ideális elrendezés ► Teljesítmény végfok tranzisztorok távol a differenciális pár alkotta bemenettől ► Szimmetrikus elrendezése - common centroid:  x és y irányú technológiai szórásra is érzéketlen  azonos izotermák 2014-10-18 42 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

43 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg IC-knél: bipoláris OpAmp ► A termikus impedancia fogalma ► Termikus visszacsatolás egy OpAmp-nál ► A layout hatása a termikus visszacsatolásra 2014-10-18 43 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

44 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus impedancia fogalma A transzfer impedancia Z th (  ) komplex értékű A kapu impedancia T1 hőmérséklet növekmény 2014-10-18 44 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

45 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2014-10-18 Termikus visszacsatolás – opamp-ban Stacionárius állapot, V OUT > 0   -2 mV/ o C 2013-10-25 45 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

46 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus visszacsatolás – opamp-ban Stacionárius üzem Hatás a nyílt hurkú transzfer karakterisztikán 2014-10-18 46 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

47 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus visszacsatolás – opamp-ban A vizsgálat módszere: Mind méréseket, mind szimulációkat végeztünk. Egy kereskedelmi forgalomban lévő közismert típust vizsgáltunk, ez a  A741 müveleti erősítő. Mind a stacionárius, mind a dinamikus viselkedést mértük és szimuláltuk. Több, azonos típusú, de különböző gyártótól származó egyedet vizsgáltunk. A különböző dizájnok ugyanazon áramkört realizálták, de az alkatrészek elrendezése eltérő volt. Az alkatrész elrendezést, az IC-k layout-ját a felbontott tokok mikroszkópi képe alapján derítettük fel. 2014-10-18 47 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

48 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A modellezés részletei Az erősítő kapcsolása A fizikai réteg- szerkezet A vizsgált áramkör a  A741 müveleti erősítő A sárgával jelölt tranzisztorokat elektro-termikus modellel írtuk le 2014-10-18 48 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

49 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A layout-ok "visszafejtése" Layout "A" 2014-10-18 49 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

50 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A layout-ok "visszafejtése" Layout "B" 2014-10-18 50 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

51 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Nyílthurkú transzfer karakterisztika (mérés és szimuláció) Layout "A" 2014-10-18 51 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

52 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Nyílthurkú transzfer karakterisztika (mérés és szimuláció) Layout "B" 2014-10-18 52 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

53 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások a kimeneti impedanciában Vizsgálatok a frekvencia tartományban 2014-10-18 53 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

54 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Layout "A", a felső tranzisztor működik, G=10 4 Ez a hatás a terheletlen opamp-nál is fellép! Vizsgálatok a frekvencia tartományban 2014-10-18 54 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

55 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2014-10-18 55 Mikroelektronika - A bipoláris IC technológia és lehetséges elemkészlet © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014 "A" "B" Ezek az IC-k csupán az alkatrészek elhelyezésében térnek el! Vizsgálatok a frekvencia tartományban


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia."

Hasonló előadás


Google Hirdetések