Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."— Előadás másolata:

1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor IV.

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor kisjelű helyettesítő- képei

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kisjelű működés jellege Munkapont meghatározása

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kisjelű működés jellege AC helyettesítőkép: passzív alkatrészekre,BJT-re

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A helyettesítőképek fajtái 1. Fizikai "kételemes" "háromelemes” "ötelemes" 2. "Fekete doboz" (négypólus) h paraméteres y paraméteres s paraméteres Mindegyikben: FB, FE

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes I E arányosan vezérli I C -t véges bemeneti ellenállás FB

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes, FB

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes, FE FE

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Kételemes FBFE

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Egy bipoláris tranzisztor kisjelű áramerősítési tényezője az I E = 1 mA munkapontban  = 200. Határozzuk meg a kételemes közös bázisú és közös emitteres helyettesítőkép elemértékeit! FB FE PÉLDA Kételemes

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Háromelemes FBFE

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű fizikai helyettesítőképek Ötelemes FBFE Early Giacoletto

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET PÉLDA Határozzuk meg az alábbi kapcsolás erősítését és bemeneti ellenállását! Adatok:  = 200, U t = 12 V, U B =6 V, I E = 1 mA, a bázis- osztó árama 0,1 mA.

14 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET

15 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET

16 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapacitások figyelembevétele T 0 a bázis-áthaladási idő

17 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapacitások figyelembevétele

18 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek h paraméterek Mérőirány konvenció (eltér az eddigiektől!)

19 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek h paraméterek állandóUu dI i i h   az áramerősítés rövidrezárt kimenet mellett állandóIi dU dI u i h   a kimeneti vezetés szakadt bemenet mellett állandóIi dU u u h   a feszültség visszahatás szakadt bemenet mellett állandóUu dI dU i u h   a bemeneti ellenállás rövidrezárt kimenet mellett

20 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek h paraméterek, FE, FB

21 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek h paraméterek a katalógusban

22 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek h paraméterek a katalógusban

23 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A négypólus helyettesítőképek y paraméterek

24 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Nagyfrekvenciás működés

25 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Nagyfrekvenciás működés A tranzisztor határfrekvenciái

26 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Nagyfrekvenciás működés A tranzisztor határfrekvenciái

27 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Nagyfrekvenciás működés A tranzisztor határfrekvenciái

28 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Nagyfrekvenciás működés A tranzisztor határfrekvenciái

29 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor mint teljesítmény- kapcsoló

30 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapcsoló üzemű működés A tranzisztor, mint teljesítmény kapcsoló A két stabil munkapont: lezárás (A), telítés (B) Lényeges kérdés: mekkora a kapcsolható teljesítmény?

31 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapcsoló üzemű működés A tranzisztor, mint digitális jelfeldolgozó elem A két stabil munkapont: lezárás, telítés Transzfer karakterisztika: az inverterre jellemző Lényeges kérdés: milyen gyors az átkapcsolás?

32 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Határadatok (maximal ratings) P dmax disszipációs hiperbola rövid időre túlléphető

33 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A maximális kapcsolható teljesítmény

34 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A BD 442 tranzisztorra P dmax = 36 W, U CEmax = 80 V, I Cmax = 4 A. Mekkora az optimális terhelő ellenállás és mekkora a maximális kapcsolható teljesítmény? Legalább mekkora bázisáram kell a bekapcsoláshoz, ha B=80? PÉLDA

35 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET n: túlvezérlési tényező A BD 442 tranzisztorra P dmax = 36 W, U CEmax = 80 V, I Cmax = 4 A. Mekkora az optimális terhelő ellenállás és mekkora a maximális kapcsolható teljesítmény? Legalább mekkora bázisáram kell a bekapcsoláshoz, ha B=80? PÉLDA

36 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapcsoló üzem tranziensei Kétféléről beszélünk: belső és külső tranziens Tárgyalni a belső tranzienseket fogjuk

37 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapcsoló üzem tranziensei

38 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor IV. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A kapcsoló üzem tranziensei Töltésegyenletek kollektor időállandó


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."

Hasonló előadás


Google Hirdetések