Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

A bipoláris tranzisztor I. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március BME Villamosmérnöki és.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "A bipoláris tranzisztor I. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március BME Villamosmérnöki és."— Előadás másolata:

1 A bipoláris tranzisztor I. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra!

2 1. A bipoláris tranzisztor felépítése Két pn átmenet, szoros (néhány  m) közelségben Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk... Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk... Ez a planáris tranzisztor BJT

3 A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az w BM “metallurgiai” bázisvastagság w BM “metallurgiai” bázisvastagság

4 A bipoláris tranzisztor felépítése E B n+n+

5 Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0,5  0,5  0,3 mm Chip méret: ~ 0,5  0,5  0,3 mm

6 A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B B E E

7 Az integrált áramköri BJT felépítése

8

9 A “belső tranzisztor” és a paraziták “Belső”: ahol a 3 réteg (n,p,n) szemben áll egymással

10 A tranzisztor működés feltételei 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága. 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága.

11 2. A tranzisztorhatás A tranzisztor több, mint két dióda!

12 2. A tranzisztorhatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor Emitter Bázis Kollektor

13 3. A bipoláris tranzisztor áramai Normál aktív beállítás: EB átmenet nyitva, CB zárva A = áramerősítés (közös bázisú, egyenáramú, normál irányú)

14 3. A bipoláris tranzisztor áramai Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:

15 Végülis miből jön az áramerősítés?

16 A bipoláris tranzisztor áramai Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázis Q B bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Q B bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor

17 4. Potenciál viszonyok Effektív bázisvastagság Bázisszélesség-moduláció U B a bázis beépített potenciálja U B a bázis beépített potenciálja

18 4. Potenciál viszonyok


Letölteni ppt "A bipoláris tranzisztor I. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2000 március BME Villamosmérnöki és."

Hasonló előadás


Google Hirdetések