1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia 2013.06.27.

Az előadások a következő témára: "1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia 2013.06.27."— Előadás másolata:

1 1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia 2013.06.27.

2 2 Mikrofluidika Az ALD lépései 1.Prekurzor kemiszorbeálódik a felületen 2.Reaktor tisztítása (nitrogén) 3.Újabb reagens, reakció a felületen 4.Újabb tisztítás

3 3 Mikrofluidika Előnyei Egyenletes és összefüggő rétegek Egyszerű és pontos adalékolás Egykristályos rétegek leválasztása Alacsony hőmérsékletű leválasztás Optikai alkalmazások Korrózióálló bevonatok Struktúrált felületek bevonása

4 4 Mikrofluidika ALD-rendszer Picosun Sunale R-100 típusú reaktor Prekurzorok: dietilcink, trimetilalumínium, titánizopropoxid,vízgőz Háttérnyomás: 10-15 hPa Hőmérséklet: szobahőmérséklettől 450°C-ig Pulzushossz: 0,1 s, tisztítási idő: 3-4 s

5 5 Mikrofluidika Alumíniumoxid-növesztés struktúrált Si felületre növesztés 300°C-on Pulzusidő: 0,2s Ciklusszám: 200 Rétegvastagság: 20 nm (profilométerrel) Érdesség: 6 nm (AFM) Egyenletesen bevonta a struktúrát

6 6 Mikrofluidika Fekete szilícium 200 nm magas; 100 nm széles Si-oszlopok Fekete Si egyenletesen bevonva 20 nm Al 2 O 3 -mal Alumíniumoxid-növesztés struktúrált Si felületre

7 7 Mikrofluidika Vérsejtszámláló chip

8 8 Mikrofluidika Kis mechanikai stabilitás Alacsony hőmérsékletű leválasztásra van szükség 50°C-on 50 nm (500 ciklus) Al 2 O 3

9 9 Mikrofluidika Köszönöm a figyelmet! Köszönöm a nyári iskola szervezőinek, és a MEMS labor munkatársainak és témavezetőmnek, Baji Zsófiának!