Automatikai építőelemek 5.

Automatikai építőelemek 5.
Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők Ellenállás függése a hőmérséklettől: Félvezető ellenállás karakterisztikája ahol: „a” - anyagállandó, „b” - energiaállandó és „T” = abszolút hőmérséklet. A „b” értéke a következő módon számítható:

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők 3.46. ábra. Termisztorok kialakítása Félvezető ellenállás-hőmérő anyagai: - nehézfémek ötvözetei, oxidjai - Si és Ge tiszta, vagy szennyezett formájában Termisztorok A gyakorlati kialakításukra mutatnak példát az ábrák 3.48. ábra. Termisztorok kialakítása 3.47. ábra. Termisztorok kialakítása

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők Látható hogy a termisztort az átfolyó áram fűti, így ez a típus felhasználható olyan folyamatok vizsgálatára, ahol hőcsere zajlik (pl. áramlásmérésnél), amely folyamatot termoanemometriának nevezzük. A termisztorok jellemző adatai: - ellenállása 25 °C–on néhány száz ohm-tól néhány kohmig terjed, - az ellenállása 80 °C-on a 20 °C-on mért érték 5/8-ad része, Fő problémája, hogy csak nagy szórással készíthetők ezért cseréjük során ismételt hitelesítést kell végrehajtani. A mérési tartománya -200…200 °C között lehetséges. A termisztorok előnyei: - a viszonylag nagy érzékenység, - kis időállandó - jó mechanikai tulajdonságok. Hátrányai: - a nemlineáris karakterisztika - nagy gyártási szórás - magas hőmérsékleten nem használható. Termisztorok kialakítása

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezetős ellenállás hőmérők A félvezetős hőmérsékletérzékelő ellenállások három fajtája terjedt el: negatív karakterisztikájú (NTK) pozitív karakterisztikájú (PTK) terjedési ellenállás alapú szilícium hőmérsékletérzékelők Az NTK (negatív hőmérsékleti együtthatójú) termisztorok fémoxidok keverékéből szintereléssel készülnek. Ez a technológia lehetővé teszi a kiviteli formák sokféleségét, az olcsó, nagy tömegű gyártást. Többféle kivitelben készülnek: gyöngytermisztorok, tárcsatermisztorok, rúdtermisztorok, morzsatermisztorok stb. Az egyes termisztorfajták között, de a fajtákon belül is jelentős méreteltérések vannak. A gyöngytermisztorban például gombostűfejnyi nagyságú termisztor massza van, többnyire védő üvegcsőbe forrasztva. A tárcsatermisztorok különböző átmérőjű és vastagságú oxidpasztillák, amelyek kivezetéssel, védőlakk burkolattal vagy fémszerelvénnyel kiegészítve készülnek. A rúdtermisztorok hossza és átmérője is tág határok között változhat. A morzsatermisztorok ónozott kontaktusfelületű, apró hasáb alakú alkatrészek, amelyeket főleg hibrid integrált, és felületen szerelt (SMD) áramkörök használnak fel.

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők A termisztorok viselkedését jelleggörbéik ismertetésével lehet követni. A legfontosabb az ellenállás-hőmérséklet jelleggörbe, amely a különböző hőmérsékleteken mért terheletlen ellenállások összefüggése. Az NTK termisztorok ellenállását hőmérsékleti hatással kétféle módon lehet befolyásolni: a környezeti hőmérséklet változtatásával termisztorba betáplált teljesítmény (az átfolyó áram) növelésével. . Különböző típusú hőmérők jelleggörbéi a jelű: platina ellenállás hőmérő b jelű: NTK termisztor c jelű: PTK termisztor d jelű: terjedésiellenállás alapú szilícium érzékelő

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők A termisztorok fontos paramétere még a termikus időállandó. A termisztor saját, és szerelvényeinek tömege, hőszigetelő tulajdonságai miatt csak késéssel reagál a hőmérsékletét megváltoztató hatásokra. A termikus hőtehetetlenségét a termikus időállandó jellemzi: (t th). Az időállandó azt az időt jelenti, amely szükséges ahhoz, hogy a termisztor és a környezete közötti hőmérsékletkülönbség a 63,2%-ot elérje. Az időállandó nagyságát a termisztor hőtehetetlenségén kívül a környezeti hatások is befolyásolják. Emiatt nem szükségképpen azonos a lehűlési és a felmelegedési időállandó értéke. A katalógusokban megadott érték nyugvó levegőben mért lehűlési idő, amely néhány másodperctől száz másodpercig terjedhet. Szabályozástechnikai célokra használt NTK termisztoroknál az áramkör működése szempontjából az a döntő, hogy mennyi idő alatt ér el a kikapcsolt termisztor ellenállása egy olyan értéket, amelynél a folyamatot újra lehet indítani. Ebben az esetben hasznos tájékoztatást ad az úgynevezett feléledési idő. A feléledési idő az az időtartam, amennyi idő ahhoz szükséges, hogy a megengedett maximális terheléssel üzemelő, a környezetével termikus egyensúlyban lévő NTK termisztor kikapcsolása után arra a hőmérsékletre hűljön le, amelyen ellenállásának értéke eléri a szobahőmérsékleten mért ellenállása értékének felét.

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők A pozitív hőmérsékleti tényezőjű (PTK) termisztorok A pozitív hőmérsékleti tényezőjű (PTK) termisztorok alapanyaga polikristályos báriumtitanát, amelyet kis mennyiségű fémdioxid adalékok (stroncium és titánoxidok) tesznek félvezetővé. Működési elve szerint a ferromágneses anyag Curie-pontja közelében elveszíti mágneses tulajdonságát és paramágnesessé alakul, ez egy bizonyos hőmérséklet tartományban következik be. 30 °C – 50 °C a felső határ az alsó pedig változó. Nevét Pierre Curie Nobel-díjas francia fizikusról kapta. A PTK termisztorok ellenállása frekvenciafüggő, az impedanciája csökken a frekvencia növekedésével.

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők Terjedési ellenállás felépítése A terjedési ellenállás elvén alapuló eszközök Működésének alapja, hogy a szilíciumkristály egy bizonyos hőmérséklettartományban a hőmérséklet növekedésével növeli a töltéshordozók megkötöttségét, ami az ellenállás növekedését okozza. Ezt az ellenállást a kristály előlapján elhelyezett hegyes érintkező és a nagy felületen fémmel bevont hátlap között mérik. Az elrendezés tulajdonképpen egy kondenzátor, ahol a dielektrikumnak hőmérsékletfüggő ellenállása van. Amíg a hegyes érintkező „d” csúcsátmérője a kristály „D” vastagságához és a fémbevonat felületéhez képest kicsi, addig az ellenállás értéke csak a fajlagos ellenállástól és a csúcssugártól függ. Enyhén görbült jelleggörbével és pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik 150 °C-nál nagyobb hőmérsékleten szabad töltéshordozók képződnek és vezetővé válik. Ellenállás- hőmérséklet karakterisztika

Hőmérsékletfüggő ellenállások Félvezető ellenállás hőmérők A terjedési ellenállás elvén alapuló eszközök Nagy előnye a termisztorokkal szemben: - hasonló meredekség mellett linearitása lényegesen jobb olcsóbb ezt az biztosítja, hogy planáris technológiával gyártható a hozzávezetések helyének megváltoztatásával az ellenállás értéke széles határok között megváltoztatható. ρ - linearis függvény a –50 … +120 °C tartományban. Érzékenysége ~ 0,7%/°C

Elektrolitos átalakítók Elektrolitok a savak, sók és lúgok vizes oldatai, amelyek vezetők. Az elektrolitok többféle mennyiséget, így elmozdulást, szögelfordulást, hidrogénion koncentráció változást alakít át ellenállássá. A elektrolit ellenállása: Elektrolitos átalakító blokkvázlata ahol: „κ” - elektrolit fajlagos vezetőképessége, „C” - cellaállandó, amely a geometriai elrendezéstől függ. Kétféle módon változhat az ellenállás értéke: - Változik a cellaállandó, amely akkor következik be, ha az átalakítót elmozdulásra vagy szögelfordulásra használjuk. Ekkor a fajlagos vezetőképesség állandó. - Változik a fajlagos vezetőképesség, amely akkor következik be, ha változik az ionkoncentráció. Ekkor változatlan a cellaállandó.

Elektrolitos átalakítók Az elektrolitos jelátalakítók fő hibája, hogy a fajlagos vezetőképessége erősen hőmérsékletfüggő, helyzet és rázás érzékeny. Előnye viszont, hogy egyszerű felépítésű, kis méret és kis mérőteljesítmény. Elektrolitos átalakítók elvi kialakítása

Fotóellenállásos átalakítók A fotóellenállások a megvilágítás változásait alakítják át ellenállás változássá. A működési elvének alapját a fotoemisszió jelensége képezi, amelynek lényege, hogy +elektronok lépnek ki. A másik alapvető fizikai hatás az ún. fotokonduktív hatás. Itt a félvezető ellenállása változik meg a fény hatására, mert töltések szabadulnak fel a félvezetőben. - Fotoemisszión alapuló eszközök a fotocellák. Fotocella felépítése ahol: „I” - fotocella árama, „c” - arányossági tényező, „Φ” – fényfluxus. A fotocellás átalakító karakterisztikája lineáris, az átfolyó áram – így a kilépő elektronok száma is – a megvilágítástól függ. A kilépő elektronok száma még függ a fény hullámhosszától és ettől függ a „c” arányossági tényező is. A katód anyaga ezüstoxidra felvitt céziumréteg, vagy bizmutoxidra felvitt ezüst-cézium ötvözet, stb Működése a látható fénytől az ultraibolya tartományig minden tartományban lehetséges. Az átfolyó áram μA nagyságú. Kétféle fotocellát különböztetünk meg; vákuum és gáztöltéses változatot.

Fotóellenállásos átalakítók Karakterisztikái az alábbi ábrákon. Hibaforrást jelent, hogy van ún. sötétárama – vagyis teljesen sötétben is folyik áram illetve kis áramok miatt zajos. Előnyei: üzembiztos (régebben ez volt az egyetlen használható eszköz). Hátrányai közé tartozik a kis érzékenység, viszonylag nagy méret, kis sávszélesség és a nagy tápfeszültség.

Fotóellenállásos átalakítók A fotóellenállások működése a fotokonduktív jelenségen alapul, amelynek alapja az ún. belső vezetés. Anyaga lehet szelén, germánium, szilícium, ólomszulfid stb. A fotóellenállás főbb tulajdonságait a táblázat tartalmazza: Se Ge Si Ólomszulfid Kadmiumszul-fid Átlagos érzékenység mA/lumen 0,1…3 30 0,06 3 2…3 Érzékenység hőmérséklet függése [% / oC] -0,4 - -1,5 -0,2 Sötétellenállás [Mohm] 0,01…10 0,1…10 1…1000

Fotóellenállásos átalakítók - a, Szelén (Se): Széles hullámhossztartomány, jelleggörbe nemlineáris, tehetetlensége elég nagy. - b, Kadmium-Szulfid (CdS): Napjaink leggyakrabban alkalmazott anyaga, amelynek monokristályos és polikristályos változata létezik. Az előbbi szűkebb, az utóbbi szélesebb tartományban mutat jelentősebb érzékenységet. A polikristályos változat jó fedésben van az emberi szem hullámhossz érzékenységével. Karakterisztikája széles tartományban lineáris. Hátránya, hogy kis megvilágításnál elég nagy az időállandója, tehát néhány száz Hz-nél nagyobb frekvenciával nem modulálhatóak. - c, Kadmium-Szelenid (CdSe) : Az infravörös tartományban mutatnak nagy érzékenységet. Meredekségük a CdS-hez képest 5…10 – szeres. Viszonylag nagy a hő-mérséklet függése. Az átviteli görbéje nemlineáris. A tehetetlenségi időállandója elfogadható értékű. d, Ólom-Szulfid: Többnyire az ipari méréstechnikában alkalmazzák, mert gyors működésűek. Spektrális érzékenysége főként az infravörös tartományba esik. Az ólomszulfidnak van egy különleges tulajdonsága, a hőmérséklet érzékenysége nem csak az amplitúdóra vonatkozik, hanem a hullámhosszra is kihat, ezért pirotechnikai alkalmazásoknál termosztátba kell helyezni. e, Ólom-Szelenid: Az infravörös tartomány legjobb tulajdonságú optikai érzékelője. Időállandója kicsi. A jelleggörbének két maximuma van.

Fotóellenállásos átalakítók A fotóellenállás elvi vázlata és elvi kialakítások

Fotóellenállásos átalakítók A fotóellenállások ellenállása annál kisebb, minél nagyobb a megvilágítás, ami azért lehetséges, mert a félvezető rétegben töltéshordozók száma a megvilágítás nagyságával nő. Minden fotóellenállás egy adott hullámhosszon éri el a legnagyobb érzékenységet. A hullámhossztól függő érzékenységet spektrális érzékenységnek nevezzük. Fotoellenállások spektrális érzékenysége

Fotóellenállásos átalakítók Vannak olyan fotóellenállások, amelyek a kék, zöld, narancs, vagy éppen a vörös tartományban érzékelnek, de vannak olyanok is, amelyek az infra tartományban. Katalógusok megadják a sötét és világosellen-állás értékét. A világos ellenállást 1000 lx. megvilágításhoz adják meg. Előnyei: a kis méret, viszonylag nagy áram, elég nagy sászélesség és jó illeszthetőség a félvezető elektronikához, Hátrány? Nemlineáris karakterisztika. A rezisztencia-változási tényezőt a sötétellenállás és világos ellenállás arányával fejezzük ki. Az „s” index a sötét állapotra, az „e” index az üzemi feszültség melletti állapotra vonatkozik.

Fotóellenállásos átalakítók Fotodiódák A fotodióda félvezető dióda, amelynek pn-átmenete jól átereszti a fényt. Gyártanak szilícium és germánium fotodiódát. Viszonylag széles tértöltési zóna keletkezik, és ha a tértöltési zónát nem éri fény, akkor csak nagyon kicsi zárási áram folyik. A zárási áram nagysága sötétben a zárótartományban normális Si-, ill. Ge-diódák zárási áramának felel meg. Fény hatására kötéseikből elektronok szabadulnak fel. Ahol a kristálykötés felszakad, egy szabad elektron és egy lyuk, azaz két szabad töltéshordozó keletkezik. A zárási áram néhány nagyságrenddel növekszik. A zárási áram és a beeső fény között lineáris összefüggés áll fenn Zárási áram beeső fény karaterisztika Fotodióda elvi felépítése

Fotóellenállásos átalakítók A fotodiódák ezért különösen jól alkalmazhatók fénymérésre. A zárási áram a megvilágítás erősségének változásaival majdnem egyidejűleg változik. Fő jellemző adat a fényérzékenység. Azt adja meg, hogy az „IR” zárási áram hány nA-rel növekszik a megvilágítás 1 lx-os növekedése hatására. Megadják katalógusban: - maximális fényérzékenység „λES” hullámhosszát. - „fg” határfrekvencia „CS” zárórétegkapacitás „Id” sötétáram, amelyet meghatározott zárófeszültségre adnak meg. (AL ) még fontos jellemző a fényérzékeny felület nagysága A fotodiódákat a zárási áram és a megvilágítás erőssége közötti lineáris összefüggés miatt túlnyomórészt mérési célokra alkalmazzák. Nagyon kisméretűek lehetnek, így alkalmazásukkal nagy alkatrészsűrűség érhető el. A fotodiódák további alkalmazási területe a vezérlés- és szabályozástechnika. Ott, ahol a fotoellenállások nagy tehetetlenségük miatt nem építhetők be, fotodiódákat alkalmaznak. Ha a Si fotoelemeket és fotodiódákat összehasonlítjuk, sok hasonlóságot fedezhetünk fel közöttük. A fotodiódák fotoelemként is alkalmazhatók, ha nem helyezzük feszültség alá, így világítás hatására feszültséget képesek leadni, hatásfokuk azonban rosszabb, mint a fotoelemeké.

Fotóellenállásos átalakítók Fototirisztorok A négyrétegű pnpn fotodióda (fototirisztor) felépítését, helyettesítő modelljét láthatjuk Fototirisztor elvi felépítése Telepet kapcsolva a kivezetésekre, a feszültség viszonyok olyanok lesznek, hogy a két külső átmenet nyitóirányban, míg a belső átmenet záróirányban polarizálódik. A belső átmenet nagy ellenállást képvisel mindaddig, amíg az alkalmazott feszültség el nem éri a letörési feszültséget. A két állapot: a szakadás és a rövidzár, valamint a kettő közötti éles átmenet, kapcsolókhoz teszi hasonlóvá a négyrétegű diódát, amely kikapcsolt állapotban végtelen nagy ellenállást és bekapcsolt állapotban rövidzárt jelent. A kétféle állapot közötti átbillenést nem csak a letörési feszültség elérésével lehet megvalósítani, hanem úgyis, hogy a tirisztorba töltéshordozókat injektálunk, amelyek hatására a belső átmenet megnyit. A fototirisztoroknál az injektálás fénnyel történik, az eszköz tehát fényjellel vezérelhető kapcsolónak fogható fel.

Mágneses ellenállásos átalakító (mágnestérlemezek) (MDR) Olyan félvezető ellenállások, amelyeknek az ellenállása mágneses térrel vezérelhető. A térlemezek lehetnek: fémes típusúak (E típus) műanyag típusúak (K típus). Az E típus hordozóanyaga nagy permeabilitású ferromágneses anyag. Az ebből készült hordozóalapra szigetelőanyagot visznek fel, és ezen van a félvezető réteg. A K típus hordozóanyaga műanyag vagy kerámia. A hordozóra, amely rendesen kb. 0,1 mm vastagságú, indium-antimonid réteget visznek fel (szokásos rétegvastagság 25 µm). Az indium-antimonid nikkel-antimonid szálakat tartalmaz, amelyek nagyon jó vezetőképességűek. Mágnestérlemez felépítése

Mágneses ellenállásos átalakító (mágnestérlemezek) (MDR) Áramút mágnestér nélkül A méretek megválasztásától függően az ellenállás értéke mágneses tér nélkül néhány ohm-tól néhány kohm-ig terjed. Ha nincs jelen mágneses tér, akkor az áramútja egyenes vonalú. Mágneses tér hatására a töltéshordozók lefelé kényszerülnek Az egyik fémes vezetőszálról a másikra ferde pályán lépnek át. A vezetőszálak rövidzárási hidakat képeznek. A fluxussűrűség növekedésével az áram útja egyre ferdébb lesz, az út hossza pedig egyre nagyobb. Az áram úthosszának növekedése azonban a térlemez ellenállásának növekedését jelenti. A mágneses tér irányának az ellenállás nagyságára nincs hatása. Jellemző adatok: „R0” az alapellenállás mágnestér nélkül, „RB” az ellenállás mágnestér hatására, RB/R0 a relatív ellenállás változás hőmérsékleti tényező 25 °C-on. Áramút kis B értéknél Áramút nagy B értéknél

Mágneses ellenállásos átalakító Mágnesdiódák Mágnesdióda felépítése A mágnesdiódák olyan diódák, amelyeknek az ellenállását külső mágneses térrel változtatni tudjuk. A mágnesdiódák germániumból és szilíciumból készített félvezető elemek. A kis germániumlap egyik végébe „p” zónát, a másikba pedig „n” zónát visznek be dotálással. A kettő közötti vezetőzóna egyik szélét oly módon szennyezik, hogy ott a töltéshordozóknak erős rekombinációja mehessen végbe. Ez az un. rekombinációs zóna (R zóna) elnyeli a töltéshordozókat Az „R” zónában kerülő töltéshordozók rekombiálódnak, azaz az elektronok és lyukak egyesülve megsemmisítik egymást. Minél több szabad töltéshordozó tűnik el, annál nagyobb lesz a mágnesdióda ellenállása. A „B” mágneses fluxussűrűséggel a rekombináció gyakorisága vezérelhető. A rekombináció gyakoriságának növekedése töltéshordozóritkuláshoz és ezáltal a mágnesdióda ellenállásának növekedéséhez vezet.

Feszültségfüggő ellenállások(VDR) A VDR (másként még elektromos tér vezérelt) ellenállások (varisztorok) sziliciumkarbidból, vagy cinkoxidból (ZNR-Zinc Oxide Nonlinear Resistor) készített ellenállástárcsák, amelyek jelleggörbéje nemlineáris. Az ellenállásérték növekvő feszültséggel csökken. feszültségfüggő ellenállás karakterisztikája Jellemző adatok: - „C” - az alapellenállás jellemzője, „β” - az áramnövekedés meredekségének mértéke (0,3…0,5), „Pmax” - maximális terhelés.

Kapacitív jelátalakítók. A kapacitív jelátalakítók feladata az elmozdulás, hosszúság, szögelfordulás átalakítása kapacitássá. Kapacitív érzékelő blokkvázlata ε 0 = 8, [A.s / V.m] ε = ε r . ε 0 ”A” a kondenzátor felülete (m2) „δ” delta a lemezek távolsága (m) C = ε . G „G” geometriai tényező 4.2 ábra.Néhány kapacitív megoldás. A permittivitást az anyag azon képessége határozza meg, hogy az mennyire képes polarizálódni a tér hatására, és így csökkenteni a teljes elektromos teret az anyagon belül. Úgy is mondhatjuk, hogy a permittivitás megmutatja az anyag képességét az elektromos mező átadására. A relatív permittivitás másik elnevezése a dielektromos állandó egy kondenzátor kapacitásának aránya ahhoz képest, hogy ha ugyanez a kondenzátor lemezei között vákuum lenne, azaz a relatív dielektromos állandó azt mutatja meg, hányszorosára nő egy kondenzátor kapacitása, ha a fegyverzetei közötti teret vákuum helyett a vizsgált dielektrikummal töltjük ki. Az SI rendszerben a permittivitás (ε) egysége a (F/m)

Kapacitív jelátalakítók. Rétegkapacitások típusai Az ipari méréstechnikában gyakran alkalmazzák a dielektrikumok rétegzésével kialakított kapacitív átalakítókat. - hosszirányú rétegződés esetén: - keresztirányú rétegződés esetén: Villamos térerő: „E” az a fajlagos erő, amely a villamos mező különböző pontjaiban lévő egységnyi töltésre hat Elterjedten alkalmazzák a geometriai tényező változásán alapuló kapacitás változásán alapuló átalakítókat. A „G” geometriai tényező: vagyis láthatóan ennek változása a felület és az elektródák távolságának változtatásával idézhető elő.

Kapacitív jelátalakítók. A gyakorlatban alkalmazott kapacitív átalakítók

Kapacitív jelátalakítók. 1. Egyszerű síkkondenzátor A kapacitás az alábbi kifejezés szerint számítható. Ez azonban valójában csak közelítés, mert az elektromos tér a széleken nem homogén, hanem szóródik. A karakterisztika nemlineáris, pontosabban hiperbolikus, ezért ezt a megoldást hiperbolikus átalakítónak is nevezik. Hiperbolikus kapacitív érzékelő Alkalmazásának két fő területe van: 1. kis elmozdulások érintkezés nélküli leképezése 2. nyomás/nyomáskülönbség leképezése 1. Elmozdulásmérő hiperbolikus kapacitív átalakítók Olyan síkkondenzátorok, amelyeknek egyik – rögzített – fegyverzetét a mérendő mozgó géprész előtt adott távolságra helyezik el a másik fegyverzet, pedig maga a mozgó géprész Az ebben az esetben a kondenzátor fegyverzetei párhuzamosak maradnak egymással, így leképzést kizárólag a kondenzátor villamos tere valósítja meg. A hiba általában kisebb 1%-nál. Karakterisztika linearizálás!

Kapacitív jelátalakítók. 2. Nyomásmérő hiperbolikus kapacitív átalakító Hiperbolikus kapacitív nyomásérzékelő Működése: Az 1 fémmembrán terheletlenül párhuzamos a 2-es ellenfegyverzettel. A köztük levő távolság” x0”. Ha a 3-nyiláson a 4-mérőkamrába „p” nyomást vezetünk, akkor az 1-es membrán deformálódik és csökken a távolság az 1 és 2 fegyverzet között, így a kapacitás is változik. Megjegyezzük, hogy nyomáskülönbség is mérhető, ha a 6 ellennyomás kamrába is vezetünk nyomást A teljes kapacitás! A karakterisztika! A membrán lehajlása! Célszerű a közvetlen hitelesítés!

Kapacitív jelátalakítók. Síkkondenzátor Az egyszerű síkkondenzátor működését légrés változás esetében az ábra mutatja Síkkondenzátor A síkkondenzátor kapacitását a következő gyakorlati módon is számíthatjuk

Kapacitív jelátalakítók. Egyszerű differenciálkondenzátor Az ábra jelölései: „d0” közepes nyugalmi elektróda távolság, a „d1” és a „d2” adott elektródatávolságok - amelyek változnak – és „C1”, „C2” kapacitások. Ezt a változatot mindig hídkapcsolásba kötjük, két azonos nagyságú impedanciát is alkalmazva hídban. A híd kimenő feszültsége ahol: „δ”- a középhez viszonyított elmozdulás.

Kapacitív jelátalakítók. Változó felületű differenciálkondenzátor Kialakítása az ábrán látható, ahol „A1” és „A2” az álló elektródának a mozgó elektródával szemben álló felületét, „φ” a szögelfordulást és „C1” ill. „C2” a kapacitásokat és „d” a lemezek közötti távolságot jelentik. A széleknél a mező inhomogén ezért ezt egy szórt kapacitással vesszük figyelembe. Változó felületű differenciálkondenzátor 2. Az „Aeff” a mozgó elektróda hasznos felülete A híd kimenő feszültsége

Kapacitív jelátalakítók. Forgókondenzátor Forgókondenzátor Felépítése az ábrán látható, amely jelölései: „d” lemezek távolsága, „A” a lemezek szembenálló felü-lete, „φ” szögelfordulás és „n” a légrések száma. s/d F(s/d) 0,02 0,098 0,06 0,23 0,1 0,335 0,4 0,84 1,0 1,39 1,4 1,63 ahol: A = r2 . π, „r” - elektróda sugara, „s” - lemezek távolsága és f (s/d) az 1. táblázat

Kapacitív jelátalakítók. Hengerkondenzátor Hengerkondenzátor A hengerkondenzátor közös jellemzője, hogy az elektródák állnak és a köztük lévő teret mozgó folyadék tölti ki. Elvi felépítése az ábrán látható. Dielektromos tényező változásán alapuló átalakítók Síkkondenzátoros kapacitív átalakító állítható dielektrikummal Síkkondenzátoros kapacitív átalakító állítható diektrikummal ahol: a „b” és „h” az átalakító lemezeinek lineáris mérete. hogy „ε1 = 1” és „h1 = h-h2” továbbá, hogy ε = ε2

Kapacitív jelátalakítók. Síkkondenzátoros kapacitív átalakító dielektrikum rétegvastagsággal Síkkondenzátor dielektrikum rétegvastagsággal Az olyan átalakítókat, ahol a dielektrikum rétegvastagsága változik és fedősíkja az elektródák síkjával párhuzamos, folyékony dielektrikumok esetén alkalmazzák. Az ilyen átalakító olyan kondenzátorra hasonlít, amelynek két réteg dielektrikuma van.

Kapacitív jelátalakítók. Szilárd dielektrikummal rendelkező átalakítók A hengeres szilárd dielektrikummal – csúsztatható - rendelkező átalakító elvi kialakítása az ábrán látható. Látható, hogy a dielektrikum szilárd és hengeres kivitelű. Ezzel a megoldással lineáris kapacitásváltozás hozható létre. Nagyobb elmozdulások esetén használják. „C1” - „x” hosszúságú levegőszigetelésű kondenzátor, „C2” - εr relatív permeabilitású dielektrikummal kitöltött rész kapacitása, C3 = (l-x) hosszúságú levegőszigetelésű rész kapacitása.

Kapacitív jelátalakítók. C (x) = A . x + B „A” a hosszegységre eső kapacitásváltozás, „B” a levegőszigetelésű elrendezés kapacitása.

Kapacitív jelátalakítók. Változó felületű higanyos hengerkondenzátor . Változó felületű higanyos, hengeres kondenzátor Elrendezés a ábrán látható. Az ábra jelölései: „D1” és „D2” a belső és külső fegyverzet átmérője, „εr” a szigetelő cső dielektromos állandója, „h” higanyoszlop magassága, „H” a teljes magasság és „C” a kapacitás. E jelölésekkel a kapacitás a következő módon határozható meg: ahol: „εr” - a cső falának dielektromos állandója, „Cs” - állandó értékű szórt kapacitás, „h” - higany magassága.

Kapacitív jelátalakítók. U alakú cső alkalmazása higanyos differenciálkondenzátorként U csöves higanyos differenciálkondenzátor Általában „H” az elektródák teljes hossza, „h” középhelyzettől mért szinttávolság, a „C1” és „C2” kapacitások. A kapacitás értékei, ha a középhelyzet H/2 – nél van: : „É” - érzékenység, „h” - középhelyzettől mért szinttávolság. Mindig hídkapcsolást kell alkalmani, így a feszültség Az első kettőt beírva a harmadikba Látható a kifejezésből, hogy a kimeneti feszültség a „h” szintkülönbség lineáris függvénye.

Köszönöm a megtisztelő figyelmet

Automatikai építőelemek 5.

Hasonló előadás

Az előadások a következő témára: "Automatikai építőelemek 5."— Előadás másolata:

Hasonló előadás

Projectumról

Visszajelzés

Bejelentkezés

A társadalmi hálózaton keresztül belépni:

Automatikai építőelemek 5.

Hasonló előadás

Az előadások a következő témára: "Automatikai építőelemek 5."— Előadás másolata:

Hasonló előadás

Projectumról

Visszajelzés