Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet."— Előadás másolata:

1 A félvezető dióda

2 PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet Egy pn átmenetből álló eszköz a dióda Pl. Dióda megvalósítás  Az ábra torzított, a keresztmetszeti méretek általában sokkal kisebbek mint az oldalirányúak  Planáris szerkezet A=anód, K=katód ( P, As, Sb ) ( B, Al, Ga, In ) Kiindulás: Si egykristály „szelet”, majd: oxidálás, ablaknyitás, n diffúzió, fémezés, darabolás, felforrasztás, tokozás Kiindulás: Si egykristály „szelet”, majd: oxidálás, ablaknyitás, n diffúzió, fémezés, darabolás, felforrasztás, tokozás

3 PN átmenet, félvezető dióda A p típusú hordozóba (substrate) diffúzióval juttatják be az n típusú adalékot A létrejövő adalékeloszlás, az un adalékprofil  A tulajdonképpeni pn átmenet ott van, ahol N D =N A. Ez a metallurgiai átmenet (ahol az anyag úgy viselkedik, mintha intrinsic lenne).  Ugrásszerű (abrupt) sűrűségváltást tekintünk, ezt könnyebb számolni Adaléksűrűség a mélység függvényében A „kompenzált” félvezető Donor-akceptor: nettó adalékolás Adaléksűrűség a mélység függvényében A „kompenzált” félvezető Donor-akceptor: nettó adalékolás

4 Vizsgálati módszerünk 1. Egydimenziós vizsgálat, „kihasított hasáb” 2. Homogén adalékolás, „abrupt” profil 3. Egyik oldal erősebben adalékolt (legyen ez az n oldal) 2. Homogén adalékolás, „abrupt” profil 3. Egyik oldal erősebben adalékolt (legyen ez az n oldal) N d >> N a

5 A pn átmenet töltésviszonyai Mindkét oldal többségi hordozói diffúzióval áramolnak a túloldal felé. A mozgóképes töltések diffúziója után helyhez kötött, ellensúlyozatlan töltések maradnak az átmenet két oldalán. Ezért megszűnik a semlegesség Így elektromos erőtér jön létre (P, As, Sb) (B, Al, Ga, In) A kialakult elektromos erőtér hatására a pn átmeneten egyensúlyban létrejön egy beépített feszültség (diffúziós potenciál)

6 A pn átmenet töltésviszonyai  A többségi töltéshordozók az átmenet környezetében átdiffundálnak a túloldalra  töltéshordozóktól kiürített réteg v. tértöltésréteg jön létre az átmenetnél  Egyensúly: A többségi töltéshordozók diffúziós árama egyensúlyban van a kisebbségi töltéshordozók sodródási áramával, I=0 ( P, As, Sb ) ( B, Al, Ga, In )

7 A pn átmenet töltésviszonyai  A kiürített réteg annál keskenyebb, minél nagyobb az adaléksűrűség az adott tartományban A valóságban általában több nagyságrend különbség van a két oldal adaléksűrűsége között  a kiürített réteg az átmenetnek főként az egyik oldalára terjed ki A töltésegyensúlyból: ( B, Al, Ga, In ) ( P, As, Sb )

8 Az ideális pn átmenet (dióda) jelleggörbe egyenlete Ez az ideális dióda egyenlet, vagy Schottky egyenlet, ahol I o a pn átmenet telítési (saturation) vagy záróáram állandója, csak anyagállandóktól és az adaléksűrűségektől függ, a kisebbségi töltéshordozó-sűrűséggel arányos I o  A A U T =kT/q=26 mV, a termikus feszültség szobahőmérsékleten, k=8,62x10 -5 eV/K, a Boltzmann állandó T a hőmérséklet Kelvinben q=1,602x Coulomb az elektron töltése előjel nélkül

9 Ideális dióda-jelleggörbe számítása Kérdés: Egy Si dióda telítési árama I 0 =0,1 pA. Mekkora a nyitófeszültség, ha az áram 10 mA? Megoldás: Mennyivel kell a nyitó feszültséget növelni ahhoz, hogy a nyitó áram tízszeres legyen? PÉLDA

10 A dióda legfőbb tulajdonságai  Pozitív feszültségekre (p típusú anyag pozitívabb potenciálon, nyitófeszültség), a szerkezeten a feszültségtől exponenciálisan függő áram folyik  Negatív feszültségekre (p oldal negatívabb, zárófeszültség) a szerkezeten nagyon kis, gyakorlatilag feszültség-független áram  A szokásos nyitófeszültség értéke: U F  0,7V Záró (reverse) tartomány I ~ A/mm 2 (Si, T=300 K) Nyitó (forward) tartomány I ~ exp(U/U T ) Karakterisztikája: I(U) U F  0,7V I U Egyenirányít!

11 A dióda jelleggörbe egyszerűsített alakjai Az ideális kapcsoló: A dióda valóságos és törtvonalas közelítés ű jelleggörbéje: Törtvonalas közelítésű jelleggörbe (letöréses szakasz nélkül) U F  0,7V I [mA] U [V]

12 Valóságos (nem ideális) dióda jelleggörbe Az alábbi másodlagos jelenségek (hatások) módosítják a dióda jelleggörbéjét: Kis áramoknál a tértöltésrétegben kialakuló áramok, amit az ideális jelleggörbe-egyenlet számításánál nem vettünk figyelembe –Nyitó tartományban: rekombinációs áram –Záró tartományban: generációs áram Nagy áramoknál: – Nyitó tartományban: soros ellenállás – Záró tartományban: letörés

13 Valóságos dióda karakterisztika A soros ellenállás A félvezető rétegek ohmos ellenállása nagy áramoknál jelentős Megoldás pl.: epitaxiális szerkezet

14 Valóságos dióda karakterisztika Rekombinációs áram Nyitóirányban a tértöltésrétegben a töltéshordozó injekció hatására megnő a töltéshordozó sűrűség –Ez megnöveli a rekombinációt –Azaz a valóságban ez is áramnövekedésként jelentkezik Ennek, és egyéb másodlagos jelenségeknek a figyelembe vételével  ahol n  2

15 Valóságos dióda karakterisztika A generációs áram Zárófeszültségek esetén a tértöltésrétegben az egyensúlyinál kisebb sűrűség miatt megnő a párkeltés (generáció) Ez többlet töltéshordozó áramot (un.generációs áram) eredményez.  –Szokásos értéke: I R  A A –n i miatt erősen hőmérséklet függő

16 Valóságos dióda karakterisztika Letörés Egy adott kritikus zárófeszültségnél, az un. V BR letörési feszültségnél a dióda záróárama hirtelen megnő és viszonylag nagy áramok folynak a diódán nagyon kis további feszültségemelkedéssel Hatására a záróáram megsokszorozódik Ha kívülről korlátozzuk az átfolyó áramot, akkor a letörésben való működés nem teszi tönkre a diódát A letörés okai: –Zener átütés (alagúthatás) –Lavina sokszorozódás (ütközési ionizáció)

17 A Zener letörés Fizikai ok: az alagúthatás A Zener dióda A Zener letörésen alapul

18 A Zener letörés felhasználása A Zener dióda A Zener dióda áramköri alkalmazása: Feszültség referencia Feszültség szabályozás (stabilizálás, kis fogyasztásnál)

19 A dióda munkapontja A dióda karakterisztika egyenlete a dióda működése során lehetséges, összetartozó áram és feszültségértékeket adja meg A tényleges működés során a dióda, ill. tetszőleges nemlineáris karakterisztikájú elem a karakterisztika egy pontjában, az un. munkapontban (operating point, quiescent point) működik Ezt a pontot az áramkörben a vizsgált nemlineáris elemet körülvevő elemek határozzák meg

20 A dióda munkapontja Az áramkörre felírt huroktörvényből egy egyenes, az un. munkaegyenes egyenlete adódik –ez tulajdonképpen az áramkörben a diódán kívül előforduló elem „karakterisztikája” a dióda feszültségének függvényében Az áramkörben kialakuló munkapontot a két függvény metszéspontja adja

21 Eszközmodellek A félvezető eszközökre kétféle modellt használunk: Nagyjelű modell Az egyenáramú viselkedést, a munkaponti jellemzőket modellezi Nemlineáris (általában) –Egy jelleggörbével, vagy az azt leíró egyenlettel adható meg Kisjelű modell A váltakozó áramú viselkedést modellezi Adott munkapontban a munkapont körüli kis megváltozások esetét írja le Munkapontfüggő, különböző munkapontokban eltérő egy eszköz kisjelű modellje Lineáris –A munkapontban a jelleggörbét érintővel helyettesíti

22 A dióda kisjelű működése Az r d differenciális ellenállás munkapontfüggő!

23 A dióda differenciális ellenállása Nyitó tartomány, I >> I 0 : Ha a soros ellenállással is számolunk:

24 A dióda differenciális ellenállása Egy dióda soros ellenállása 2 ohm Számítsuk ki a differenciális ellen- állását az I=1 mA, 10 mA, 100 mA munkapontokban! PÉLDA

25 A dióda kapacitásai Minden pn átmenethez két kapacitás értéket rendelhetünk A kiürített réteg egy síkkapacitás A kiürített réteg által képviselt síkkondenzátor kapacitása a C T tértöltéskapacitás (más néven diódakapacitás) Az injektált kisebbségi töltéshordozók által képviselt Q töltés felépítéséhez időre van szükség  kapacitív hatás Az injektált kisebbségi töltéshordozók által képviselt diffúziós töltés létrehozásának időigénye kis frekvenciákon a C D diffúziós (más néven tárolási) kapacitással modellezhető Tértöltéskapacitás (C T ) a záró tartományban uralkodó Tértöltéskapacitás (C T ) a záró tartományban uralkodó Diffúziós kapacitás ( C D ) csak a nyitó tartományban alakul ki Diffúziós kapacitás ( C D ) csak a nyitó tartományban alakul ki

26 A diódák gyakorlati kivitele Kisáramú Nagyáramú

27 Fénykibocsátó dióda (LED) Light-Emitting Diodes Villamos áram hatására fényt bocsát ki A különféle összetételű vegyület félvezetők eltérő fényű LED-eket eredményeznek Egyedül is és szelvénybe rendezetten is használják, ez utóbbira példa a képen látható hét-szelvényes (seven- segment) kijelző

28 Diódák elektronikai alkalmazásai Nagyon sokrétű, elsődlegesen analóg áramkörökben használják Néhány példa:  Egyenirányítás  Feszültség szabályozás/stabilizálás (pl.: Zener dióda)  Hőmérséklet mérés  Fénykibocsátás (LED-ek)


Letölteni ppt "A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet."

Hasonló előadás


Google Hirdetések